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[期刊论文] 作者：张灶利,
来源：煤矿机械 年份：1990
我厂生产的35CrMnSi截齿工序:下料→锻→退火→机加工→淬火→回火→磨角→抛丸处理。退火工艺的目的是便于随后的机加工(刨、铣、钻孔),但退火工艺周期长、氧化脱碳严重,并...
[期刊论文] 作者：张灶利,刘键,
来源：钢铁研究学报 年份：1999
用俄歇能谱仪和扫描电镜研究了中碳钢和含钼中碳钢在回火脆性发展过程中Ｐ在晶界上的偏聚。发现在４８０℃回火时，两种钢均在晶界出现Ｐ的浓度峰值。含钼中碳钢中的Ｍｏ减小了晶界断裂比例，但......
[期刊论文] 作者：张灶利,张崇芳,
来源：兵器材料科学与工程 年份：1996
采用扫描电镜、电子探针及Ｘ射线研究了７２０￣７３０℃热浸，纯Ａｌ、Ａｌ＋１．７％Ｓｉ、Ａｌ＋３．６％Ｓｉ三种钢板镀层，结果表明：加Ｓｉ镀层结构改变，并对界面合金层生长有强烈的抑制作用，Ｓｉ量增加抑制作用明显。分析表明，Ｓｉ占据了Ｆｅ２Ａｌ５中Ａｌ原子快速扩......
[期刊论文] 作者：张灶利,翟启华,
来源：半导体学报 年份：1996
本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应，结果表明：在氩氢气下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物则在Ｃｏ／ＳｉＯ２界面，无硅化物产生，在......
[期刊论文] 作者：张灶利,肖治纲,
来源：金属学报 年份：1994
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化，发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物，薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响。......
[期刊论文] 作者：李秀兰,张灶利,
来源：物理化学学报 年份：2000
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[期刊论文] 作者：侯士敏,张灶利,
来源：真空科学与技术 年份：2000
利用直流弧光放电法制备了巴基葱，高分辨透射电子显微镜分析表明这种巴基葱为空心椭球形，由１１层富勒烯组成。利用超高真空原子力显微镜和扫描隧道显微镜研究了巴基葱在高定向石墨......
[期刊论文] 作者：张灶利,王桂兰,
来源：材料研究学报 年份：1999
用电镜对Ｓｉ（００１）基体上的Ｃｏ薄膜的室温相和稳定性进行了观察，高分辨像和小角解理的电子衍射结果均表明：室温下，Ｃｏ薄膜不发生反应，室温相为α－Ｃｏ，没有硅化物形成，Ｃｏ薄膜在经过３００℃２ｈ退火后，薄膜发生部分凝......
[期刊论文] 作者：张灶利,肖治纲,等,
来源：半导体学报 年份：1995
本文用透射电镜的衍射方法，研究Co薄膜和衬底之间的界面的低温相变。用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变。在250℃，Co2Si为最先形成的硅化物；250℃3......
[期刊论文] 作者：张灶利,张崇芳,等,
来源：北京科技大学学报 年份：1996
用置换溶质原子－空位复合体机制，对Al-Cu合金G．P．区异常快速形成及相应的现象进行了解释，并与过剩空位机制和位错机制进行了比较。...
[期刊论文] 作者：刘键,王佩璇,张灶利,
来源：稀有金属 年份：1999
采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射（ 沟道 Ｒ Ｂ Ｓ） 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ｇａ Ａｓ 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主......
[期刊论文] 作者：张灶利, 肖治纲, 杜国维,,
来源：金属学报 年份：2004
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．......
[期刊论文] 作者：张灶利,肖治纲,杜国维,
来源：金属学报 年份：1995
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．ＣｏＳｉ相和基体无取向关系Ｃｏ／Ｓｉ界面在退火温度范围内的相变过程为：２５０─４５０℃４５０─５００℃Ｃｏ２Ｓｉ＋Ｃｏｓｉ─→ＣＯＳｉ─→Ｃｏｓｉ＋ＣｏＳｉ２......
[期刊论文] 作者：张灶利,林清英,余宗森,
来源：金属热处理学报 年份：1998
用俄歇电子能谱仪分析了低碳贝氏体钢奥氏体化后炉冷、空冷、油冷和水冷时Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等元素在晶界的偏聚行为。结果发现：在不同冷却速度下，各元素在晶界的偏聚量不同。慢冷速下，Ｂ、Ｐ晶......
[期刊论文] 作者：张灶利,余宗森,张崇芳,
来源：兵器材料科学与工程 年份：1996
采用扫描电镜、电子探针及Ｘ射线研究了７２０～７３０℃热浸，纯Ａｌ、Ａｌ＋１．７％Ｓｉ，Ａｌ＋３．６％Ｓｉ三种钢板镀层，结果表明：加Ｓｉ镀层结构改变，并对界面合金层生长有强烈的抑制作用，Ｓｉ量增加抑制作用明显。分析表明，Ｓｉ占据了Ｆｅ２Ａｌ３中Ａｌ原子快速扩散......
[期刊论文] 作者：张灶利,肖治纲,杜国维,
来源：半导体学报 年份：1995
本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量......
[期刊论文] 作者：张灶利,张崇芳,陈宁,余宗森,
来源：北京科技大学学报 年份：1996
用置换溶质原子－空位复合体机制，对Ａｌ－Ｃｕ合金Ｇ．Ｐ．区异常快速形成及相应的现象进行了解释，并与过剩空位机制和位错机制进行了比较。Al-Cu alloy G was synthesized by displacement solu......
[会议论文] 作者：林冰,简玮,张灶利,王江涌,
来源：中国真空学会2014年年会 年份：2014
金属Pd 诱导非晶硅(a-Si)晶化,实现了在较低温度下制备多晶硅薄膜[1].实验上发现,在退火条件下,Pd 晶界以及Pd 与(单晶)Si 衬底的界面处会形成金属间化合物Pd2Si.本文研究了Pd-Si 薄膜体系中的相变,利用界面热力学理论[2] 分析了金属Pd 诱导非晶硅晶化的机制,并......
[期刊论文] 作者：张灶利,刘键,林清英,余宗森,刘登科,
来源：钢铁研究学报 年份：1999
用俄歇能谱仪和扫描电镜研究了中碳钢和含钼中碳钢在回火脆性发展过程中Ｐ在晶界上的偏聚。发现在４８０ ℃回火时，两种钢均在晶界出现Ｐ的浓度峰值。含钼中碳钢中的Ｍｏ 减小了晶界断裂比例......
[期刊论文] 作者：张灶利,林清英,许庭栋,余宗森,纪箴,
来源：金属热处理学报 年份：1996
提出了钢回火脆性的杂质－空位复合体机制。研究了４０Ｃｒ钢５３８℃长时间回火脆化动力学，发现５０％ＦＡＴＴ（脆韧转变温度）随回火时间变化的规律与所提出的机制吻合较好。用扫描电镜观察冲击断口形貌，表明沿......
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