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[期刊论文] 作者：方敦辅,徐涌泉,
来源：稀有金属 年份：1989
本文报道了用高压 LEC 法生长出〈100〉、φ50～60mm、重800g 左右的 InP 单晶。并用范德堡法、二探针法及电化学 C—V 法测定了晶体电学性质和载流子浓度分布,并与〈111〉方向...
[期刊论文] 作者：方敦辅,徐涌泉,
来源：稀有金属 年份：1990
本文论述了LEC-InP单晶生长过程中出现孪晶现象的机理,实验论证了在大多数情况下孪晶面是由棱上{111}小平面发展而成的。用选择生长方向的方法难以消除此现象,应严格控制多晶...
[期刊论文] 作者：徐涌泉,方敦辅,谭礼同,,
来源：稀有金属 年份：1989
研究了电中性和电活性元素双掺对高压液封直拉(LEC)法生长InP晶体位错密度的影响。实验结果表明,Ga、Al、B等电中性元素均可降低材料的位错密度,它与电活性元素Sn、S、Zn协同...
[期刊论文] 作者：王祥熙,徐涌泉,杨金华,方敦辅,
来源：半导体光电 年份：1981
磷化铟作为新型化合物半导体材料,已在国内外引起广泛重视。它在微波和光电器件中都能应用,尤其是用它作衬底来生长GaInAsP异质结外延层,制造红外发光二极管、激光器和光雪...
[期刊论文] 作者：王祥熙,徐涌泉,杨金华,方敦辅,
来源：稀有金属 年份：1981
在高压液封切克劳斯基(LEC)方法生长InP晶体过程中,孪晶出现是一个比较突出的问题。但是选择合理的热场、注意液封剂B_2 O_3脱水条件、使用化学配比的InP多晶料,在P面生长方...
[期刊论文] 作者：方敦辅,徐涌泉,杨金华,谭礼同,史日华,,
来源：上海冶金 年份：1980
砷化镓单晶衬底材料的完整性,是衡量晶体质量的重要参数之一,这对光电器件更有其特殊意义。一般用 LEC 法制备低位错 GaAs 单晶,要使用 Dash 技术和理想的热场,而且成品率较...
[期刊论文] 作者：谭礼同,周景龙,方敦辅,姚以珍,
来源：稀有金属 年份：1989
InP 单晶衬底已广泛用于制备长波长光纤通信的激光器和探测器。除了一般的 n 型衬底材料以外,p 型材料的使用也受到重视并获得成功。因为锌在 InP 中具有杂质效应,所以掺锌生...
[期刊论文] 作者：方敦辅,徐涌泉,相德(钅久),谭礼同,
来源：稀有金属 年份：1990
本文论述了LEC-InP单晶生长过程中出现孪晶现象的机理,实验论证了在大多数情况下孪晶面是由棱上{111}小平面发展而成的。用选择生长方向的方法难以消除此现象,应严格控制多晶...
[期刊论文] 作者：谭礼同,章敏权,胡雨生,方敦辅,,
来源：稀有金属 年份：1982
采用高压温度梯度冷凝法,由元素锢和红磷直接合成纯度磷化铟多晶。每次合成1小时,可得多晶300克。典型纯度磷化铟多晶的电学性质为: n_77K=3.79～15×10~15/cm~3 μ_77K=1·94～2...
[期刊论文] 作者：方敦辅,王祥熙,徐涌泉,缪涵英,牟盘健,
来源：应用科学学报 年份：1983
在高压液封直拉(LEC)法生长InP单晶时,利用杂质效应掺入硫,可以有效地降低位错密度.当载流子浓度达3×10~(18) cm~(-3)时,位错密度降低到10~8cm~(-2)左右,此时补偿比在0.1～0.3...
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