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[期刊论文] 作者：陆文兰,滕学公,
来源：上海半导体 年份：1990
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[期刊论文] 作者：夏永伟,滕学公,
来源：半导体学报 年份：1996
本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电子双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性，单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ，使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率......
[期刊论文] 作者：夏永伟,滕学公,
来源：半导体学报 年份：1996
通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件，了它的发光峰形态的变化，第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激光谱和发射光谱，其半峰值宽度小于１０ｎｍ，讨论了形成针形峰的可能机理。......
[会议论文] 作者：段树坤,滕学公,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：祝亚芹,滕学公,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：夏永伟,李国花,滕学公,樊志军,
来源：半导体学报 年份：1994
用氯氟酸硝酸水溶液对硅单晶抛光片进行染色腐蚀，制备了多孔硅．本文研究染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性，特别是激发光强度和波长与发射光强度与波长的关系，多孔硅的稳定性和......
[期刊论文] 作者：段树坤,滕学公,李国华,王玉田,杭寅,
来源：半导体学报 年份：1997
The growth of wurtzite GaN by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (111) magnesium aluminate (MgAl2O4) substrates have been studied. The morphologic...
[期刊论文] 作者：韩培德,杨海峰,张泽,段树坤,滕学公,
来源：半导体学报 年份：1998
运用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）对金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的（０００１）ＧａＮ／（１１１）ＭｇＡｌ２Ｏ４异质结构中的缓冲层进行了观察和分析，发现在该衬底上最初的低温沉积是一厚度为５ｎｍ的六方相岛状界面薄层。......
[期刊论文] 作者：夏永伟,滕学公,李国花,樊志军,王守武,
来源：半导体学报 年份：1996
本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μ......
[期刊论文] 作者：毛容伟,左玉华,李传波,成步文,滕学公,罗丽萍,张合顺,于金,
来源：半导体学报 年份：2005
报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术．高反射率的SiO2／Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上，然后键合到InGaAs有源区上，键合温度为350℃，无需特殊表面处理，反射镜的反......
[期刊论文] 作者：毛容伟,成步文,李传波,左玉华,滕学公,罗丽萍,余金中,王启,
来源：光子学报 年份：2005
制作了一种低成本硅基1.55 μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为 12.5 nm,调谐范围 14.5 nm,并...
[期刊论文] 作者：毛容伟,左玉华,李传波,成步文,滕学公,罗丽萍,张合顺,于金,
来源：半导体学报 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：毛容伟,成步文,李传波,左玉华,滕学公,罗丽萍,余金中,王启明,,
来源：光子学报 年份：2005
制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获...
[期刊论文] 作者：毛容伟,左玉华,李传波,成步文,滕学公,罗丽萍,张合顺,于金中,王启明,
来源：半导体学报 年份：2005
报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有源区上 ,键合温度为 35 0℃ ,无需特殊表面处...
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