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[期刊论文] 作者：李秀琼,王培大,
来源：半导体学报 年份：1990
一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10~(20)/cm~3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制...
[会议论文] 作者：孙慧龄,王培大,严勇,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：孙慧玲,陈鸣,王培大,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了高剂量氮离子注入硅所形成的高阻层.对该层的研究将有助于使离子注入技术应用于半导体集成电路的隔离工艺. 选用电阻率为0.5Ω-cm,取向的N型硅单晶片作衬底.氮离子注入...
[期刊论文] 作者：李秀琼,孙慧玲,王培大,
来源：半导体学报 年份：1984
本文提出了一种新的半导体掺杂方法.将掺杂杂质涂敷在待掺杂的半导体表面,利用连续电子束辐照实现了掺杂.其结深可由电子束的参数调节加以控制. 对掺磷的电子束掺杂层进行测...
[期刊论文] 作者：王培大,唐革非,徐嘉东,何彩霞,
来源：微细加工技术 年份：2004
研究工作的发展对设备提出了各种不同的要求。为了更好地满足科研工作的需要,使各种科研工作得以进行,必须具有相应的设备。若每一实验都在专用设备上进行,则投资太大。所以...
[期刊论文] 作者：王培大,韩阶平,裴荣祥,洪啸吟,
来源：半导体学报 年份：2004
半导体器件、集成电路制造工艺已进入微米、亚微米级的超精细加工阶段.尽管利用远紫外、电子束、软X射线作光源可大大提高曝光图形的分辨率,但是光衍射始终存在,加之电子束...
[期刊论文] 作者：李秀琼,孙慧龄,王培大,电子束加工组,
来源：微细加工技术 年份：1986
利用低能电子束辐照使涂敷在半导体表面的杂质掺到半导体中去的物理现象,既不是熔化型的,也不符合固—固扩散理论,它遵从一个电和热效应的综合效果。本文就电和热效应两方面...
[期刊论文] 作者：严勇,李齐,冯端,孙慧龄,王培大,
来源：半导体学报 年份：1989
单晶硅中磷离子注入的剖面透射电镜(X-TEM)及HREM研究表明:能量为150keV,剂量为1×10~(13)cm~(-2)的磷离子注入后,在未经退火时,单晶硅表面以下1100A处可产生厚度为1000A的非...
[期刊论文] 作者：韩阶平,王培大,马俊如,王守武,
来源：半导体学报 年份：1985
本文提出了一种用离子注入减慢SiO_2腐蚀速率的新工艺.用不同剂量的各种离子对SiO_2进行注入实验,结果表明,注入离子的剂量越高,SiO_2的腐蚀速率越慢,该工艺的关键是采用了干...
[期刊论文] 作者：徐嘉东,商作起,李建明,杨占坤,王培大,
来源：微细加工技术 年份：2004
本文描述了改进型潘宁离子源在活性化学反应机理作用基础上获得难熔金属离子。研究了源结构和引束上活性气体的影响,并获得有关结果。This paper describes the improved P...
[期刊论文] 作者：商作起,徐嘉东,杨占坤,李建明,王培大,
来源：微细加工技术 年份：1991
本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF~+对Si~+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。T...
[期刊论文] 作者：靳九成,李建明,谢中,张小龙,王培大,刘国宾,龙奔,
来源：湖南大学学报(自然科学版) 年份：1992
本丈研究了Cr~+Er~+重叠注入对50Mnl8Cr4电机护环钢抗SCC性能的影响.高SCC比实验结果表明:Cr~+Er~+重叠注入有效地改善了50Mn18Cr4钢的抗SCC性能.SCC出现时间平均延迟了17.7%...
[期刊论文] 作者：韩阶平,王培大,徐卫东,金钟元,陈梦真,
来源：半导体学报 年份：1988
本文提出一种改变SiO_2表面特性的新方法.当用一定能量的电子轰击二氧化硅表面时,二氧化硅的腐蚀特性发生了很大变化.在同一工艺条件下,未经电子轰击的二氧化硅腐蚀速率为700...
[期刊论文] 作者：严勇,王培大,胡梅生,孙慧龄,李齐,冯端,
来源：半导体学报 年份：1990
剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er~+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10~(15)cm~(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可...
[期刊论文] 作者：李秀琼,孙慧龄,王培大,唐革非,徐嘉东,何彩霞,
来源：微细加工技术 年份：1984
本文叙述了利用电子束掺杂技术形成的浅结,最浅达504（?）,载流子峰值浓度大于1×1020/cm3,其衬底可以是低浓度的,也可以是高浓度的(小于或等于1×1019/cm3);并利用电子束掺杂技...
[期刊论文] 作者：靳九成,谢中,吴翠兰,李建明,靳诰,钟庆东,王培大,龙奔,刘,
来源：中国腐蚀与防护学报 年份：1994
研究了解和铬离子高、中能量重迭注入对５０Ｍｎ１８Ｃｒ４电机护环钢ＳＣＣ性能的影响．ＳＣＣ对比试验结果表明：（１）在ＱＨＪ－７９标准硝酸盐介质中，离子注入试样的ＳＣＣ出现时间（ｔｆ）比不经注入试样的延长了６倍以上，致钝和维钝电流密度下......
[期刊论文] 作者：靳九成,谢中,吴翠兰,李建明,靳诰,钟庆东,王培大,龙奔,刘国宾,
来源：中国腐蚀与防护学报 年份：1994
研究了解和铬离子高、中能量重迭注入对５０Ｍｎ１８Ｃｒ４电机护环钢ＳＣＣ性能的影响．ＳＣＣ对比试验结果表明：（１）在ＱＨＪ－７９标准硝酸盐介质中，离子注入试样的ＳＣＣ出现时间（ｔｆ）比不经注入试样的延长了６倍以上，致钝和维钝电流密度下......
[期刊论文] 作者：孙慧龄,王培大,李秀琼,唐革非,徐嘉东,何彩霞,中国科学院电工所电子束加工组,
来源：微细加工技术 年份：2004
一、引言S做为GaAs的施主杂质是较轻的元素,容易形成良好的掺杂层。用离子注入技术制备GaAs的n型层,常选S~+做为注入的离子。但S在GaAs中的扩散系数比较大。注入后若采用常...
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