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[期刊论文] 作者：罗尹虹,张正选,
来源：微电子学 年份：2000
介绍了利用＾９０Ｓｒ－＾９０Ｙ源辐照装置对ＭＯＳＦＥＴ进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验，着重研究了ＭＯＳＦＥＴ的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律，并对实验结果进行了分析讨论。......
[期刊论文] 作者：罗尹虹,张正选,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET的电离辐射效应进行二维数值模拟，通过在SiO2内解泊松方程，电流连续性方程及总剂量引入的空穴陷阱的辅助方程，对NMOSFET的电离辐射效应特性进行研...
[期刊论文] 作者：罗尹虹,张正选,吴国荣,彭宏论,
来源：微电子学 年份：2000
介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。Th...
[会议论文] 作者：吴国荣,张正选,周辉,罗尹虹,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用Sr-Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国内首次给出了器件在连续辐照状态下的效应数据。研究结果：非加固的54...
[会议论文] 作者：吴国荣,张正选,周辉,罗尹虹,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用Sr-Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国仙首次给出了器件在连续辐照状态下的效就数据。研究结果表明：非加固...
[会议论文] 作者：吴国荣,张正选,周辉,罗尹虹,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用Sr-Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国内首次给出了器件在连续辐照状态下的效应数据。研究结果：非加固的54HC04的抗辐射水平在1-3×10Gy。......
[期刊论文] 作者：罗尹虹,龚建成,郭红霞,石小峰,,
来源：原子能科学技术 年份：2006
利用响应函数对MOS器件时间关联辐射响应几个物理过程的实验数据进行拟合计算，包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立。详细分析了俘...
[期刊论文] 作者：罗尹虹,张凤祁,郭红霞,Wojtek Hajdas,
来源：物理学报 年份：2020
为实现对纳米DICE(dual interlocked cell)加固器件抗质子单粒子能力的准确评估,通过对65 nm双DICE加固静态随机存储器(static random access memory,SRAM)重离子单粒子翻转...
[期刊论文] 作者：龚建成,罗尹虹,郭红霞,周伯昭,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2008
本文建立了MOS器件脉冲总剂量效应时间关联响应的计算模型，包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立，详细讨论了俘获空穴空间分布的差异......
[期刊论文] 作者：罗尹虹,龚建成,何宝平,郭红霞,
来源：核电子学与探测技术 年份：2005
在器件的金属化层及封装等结构中,高原子序数材料在低能X射线的辐照下,会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应,从而使得器件性能严重退化.主要介绍了柯伐封装的CMOS器...
[期刊论文] 作者：罗尹虹,张正选,吴国荣,姜景和,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
对具有侧向寄生晶体管的 NMOSFET的电离辐射效应进行二维数值模拟。通过在 Si O2内解泊松方程、电流连续性方程及总剂量引入的空穴陷阱的辅助方程 ,对 NMOSFET的电离辐射效应...
[期刊论文] 作者：龚建成,罗尹虹,郭红霞,周伯昭,
来源：核电子学与探测技术 年份：2008
本文建立了MOS器件脉冲总剂量效应时间关联响应的计算模型,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立,详细讨论了俘获空穴空间分布的差...
[期刊论文] 作者：张科营, 郭红霞, 何宝平, 罗尹虹,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2009
针对特征工艺尺寸为0．6μmNMOS进行了60Co电离辐照试验，分析了MOS器件总剂量辐照效应的原因，详细介绍了处理电离辐照试验数据的方法。建立了总剂量辐照效应的损伤阈值的统计概率......
[期刊论文] 作者：罗尹虹,郭晓强,陈伟,郭刚,范辉,,
来源：物理学报 年份：2016
结合欧空局推广需求,以及国内加速器和国际加速器比对的愿望,将欧空局单粒子翻转监测器（Europe space agency single event upset monitor,ESA SEU Monitor）成功应用于国内串列...
[期刊论文] 作者：王桂珍,张正选,姜景和,罗尹虹,
来源：半导体学报 年份：2001
用一种比较简单的 Jaffe近似方法计算了质子在 Si O2 中的电子空穴对的逃逸率 ,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响 .得到了电子空穴对复合逃...
[会议论文] 作者：王园明,郭晓强,陈伟,罗尹虹,
来源：第十一届全国蒙特卡罗方法及其应用学术交流会 年份：2012
本文基于蒙特卡罗软件Geant4，建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中，描述了原子间库仑散射的物理过程，模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射......
[期刊论文] 作者：赵雯,陈伟,罗尹虹,贺朝会,沈忱,
来源：物理学报 年份：2021
相同线性能量传输值(linear energy transfer,LET)、不同能量和种类的离子在径迹特征方面存在差异,导致这些离子在组合逻辑电路中产生的单粒子瞬态(single event transients,SET)有所不同,这种现象随着电路特征工艺尺寸的缩减逐渐凸显.开展离子径迹特征与纳米组......
[期刊论文] 作者：王燕萍,罗尹虹,张科营,王园明,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
建立了GaNHEMT器件（氮化镓高电子迁移率晶体管）中子原位测试技术和辐照效应实验方法，开展了GaNHEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究，重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能......
[期刊论文] 作者：何宝平,张凤祁,姚志斌,罗尹虹,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2006
主要研究了LH4007RH—CMOS器件与^60Coγ射线辐照总剂量、剂量率以及辐照后退火时间和温度的响应关系。试验研究表明，按照美军标1019．4试验步骤，如果器件经0．5～3Gy／s高剂量率辐照后......
[期刊论文] 作者：罗尹虹,龚建成,关颖,石小峰,郭红霞,
来源：核电子学与探测技术 年份：2004
利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并...
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