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[期刊论文] 作者：罗晋生,
来源：LSI制造与测试 年份：1996
本文介绍了我们研制成功的实用化的ＥＬ－Ⅲ型自动椭偏仪，经专家鉴定和用户使用证明本仪器的实用化和实用化和商品化程度高，功能和技术指标与国外同类产品相当，达到国际先进水平。......
[期刊论文] 作者：罗晋生,
来源：课程教育研究：学法教法研究 年份：2018
在当今素质教育改革深入开展的背景下,对于小学生的养成教育受到了人们更多的关注,要想小学生懂得如何做人、做事和思考,而我国的国学经典蕴含着丰富的传统文化内容,如果将国...
[期刊论文] 作者：齐鸣,罗晋生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
采用室温Ｒａｍａｎ散射和低温光致发光（ＰＬ）谱，对以ＴＭＧ，固体Ａｓ和固体Ｉｎ作为分子束源的ＭＯＭＢＥ法生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０．３）单层异质结构和多量子阱结构中ＩｎＧａＡｓ应变层的界厚度进行了实验研究。由应变引起的Ｒａｍａｎ散射峰位移，以及ＰＬ谱峰位置与应......
[期刊论文] 作者：齐鸣,罗晋生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
超高掺杂GaAs具有明显的禁带变窄（BGN）效应,因此采用超高掺杂基区的GaAs同质晶体管也可获得HBT的效果.故称之为赝HBT（p—HBT）。本文根据实验结果讨论了超高掺杂情况下GaAs的BGN效...
[期刊论文] 作者：齐鸣,罗晋生,
来源：微电子学 年份：1989
对热生长SiO2膜,在NH3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介...
[期刊论文] 作者：严北平,罗晋生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同，这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨...
[期刊论文] 作者：梁苏军,罗晋生,
来源：半导体学报 年份：1991
本文采用特定的指数函数分布近似首次求得了理想高压扩散结雪崩击穿参量的解析表达式.计算结果与V.A.K.Temple和M.S.Adler的数值结果相当一致,大大优于沿用至今的单突与线缓...
[期刊论文] 作者：范永平,罗晋生,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：梁苏军,罗晋生,
来源：半导体杂志 年份：1992
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[期刊论文] 作者：曾峥,罗晋生,
来源：半导体杂志 年份：1991
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[期刊论文] 作者：梁苏军,罗晋生,
来源：半导体学报 年份：1993
本文从全新的角度出发,提出了在高压终端结构数值场分析中运用边界元的基本方法,并通过典型算例讨论了数值解的精度等基本特征。与差分和有限元方法相比,边界元具有精度高,方...
[期刊论文] 作者：钱鹤,罗晋生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文对WSix,TiSix和PtSix与GaAs的肖特基接触进行了研究,比较了不同组分下这三种硅化物在快速退火和常规退火后的电阻率、与GaAs接触界面的热稳定性、化学稳定性及所形成肖特...
[期刊论文] 作者：范永平,罗晋生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文研究了硼离子注入硅经红外辐照退火后的热处理特性.实验发现,对于20keV,3.5×1014cm-211B离子注入硅样品,经10秒到几十秒红外辐照后再进行不同温度的后热处理,表面薄...
[期刊论文] 作者：相奇,罗晋生,
来源：半导体学报 年份：1991
本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs...
[期刊论文] 作者：钱鹤,罗晋生,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对用分层电子束蒸发法形成的TiSix/GaAs的肖特基接触特性进行了研究,分析了不同组分下经快速退火和常规退火后TiSix的电阻率,与GaAs接触界面的热...
[期刊论文] 作者：杨荣,罗晋生,
来源：半导体学报 年份：2003
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具，模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系；研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅...
[期刊论文] 作者：张正选,罗晋生,
来源：半导体学报 年份：1999
对加固ＣＭＯＳ器件在两种辐射剂量率下进行辐照实验，研究了ＭＯＳＦＥＴ阈值电压及ＣＭＳ倒相器转换电压Ｖｔｒ，开门电压Ｖｉｈ，关门电压Ｖｉｌ等参数随辐射剂量及辐射剂量率的变化关系规律，对实验结果进行了分析讨论。......
[期刊论文] 作者：严北平,罗晋生,
来源：半导体情报 年份：1998
从求解异质结双极晶体管基区的二维电流连续性方程出发，推导出了基区少数载流子浓度的解析解，由此获得了基区各处复合电流的解析表达式。基于该模型完成了算法研究和软件编制，计......
[期刊论文] 作者：田彤,罗晋生,
来源：西安交通大学学报 年份：2000
在前期对ＧａＡｓ微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上，针对国内工艺技术的特点，提出了提高其性能的电路结构及其设计技术。该设计采用宽带放大器级联负......
[期刊论文] 作者：张正选,罗晋生,
来源：原子能科学技术 年份：2000
利用亚阈测量技术对ＢＦ＾＋２注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ辐射感生界面陷阱进行了测量。对ＢＦ＾２＋注射ＰＭＯＳＦＥＴ具有抑制辐射感生界面陷阱的机理进行了分析和讨论。...
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