搜索筛选:
搜索耗时1.1280秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 12 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:葛永才, 来源:中国西部 年份:2007
由于年代的原因,我们对于我们的过去只是持有零散的感知,只能像流浪者一样拾取思想的片断,这些仪式的规则与细节,为我们打开了通往过去的通道。...
[期刊论文] 作者:葛永才,郎艳,杜晓杰, 来源:中国战略新兴产业(理论版) 年份:2019
随着城际轨道交通的发展,城际车应用越来越广,人们对内装设计人性化和舒适性的要求越来越高。座椅是与乘 客直接接触的车内设施之一,它是衡量轨道交通车辆乘坐舒适性的重要指...
[期刊论文] 作者:高凤升,龚秀英,葛永才, 来源:电子科学学刊 年份:1991
提出了一种新的非均匀减薄法,即选择阳极氧化法。用于n~+-n-n~(++)GaAs高低结雪崩二极管的n~+层厚度的控制,使器件的效率达到理论值。A new non-uniform thinning method i...
[期刊论文] 作者:郎艳,杜晓杰,葛永才,杨晓芳, 来源:中国战略新兴产业(理论版) 年份:2019
本文介绍了一种轨道交通车辆客室侧窗的性能、结构形式、粘接设计计算...
[期刊论文] 作者:宁瑾,刘焕章,葛永才,刘忠立, 来源:半导体学报 年份:2003
提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜,采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为107.8dB,在400~10k......
[期刊论文] 作者:宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才, 来源:功能材料与器件学报 年份:2003
提出一种新的牺牲层工艺.先将阳极氧化生成的多孔硅在 300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在 700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅.用氧化的多孔硅材料作...
[期刊论文] 作者:宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才, 来源:半导体学报 年份:2003
提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器.用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙,用约15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板.采用该方法制备的微传声器,在500Hz至11kHz......
[期刊论文] 作者:宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才, 来源:微细加工技术 年份:2003
多孔硅具有选择性生长以及可以迅速释放的特性,是MEMS工艺中很好的牺牲层材料.探讨了多孔硅牺牲层工艺的特点,并通过实验证明了其在电容式微传声器制备中的应用可能.提出可以...
[期刊论文] 作者:宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才, 来源:半导体学报 年份:2003
提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器 .用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙 ,用约 15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板 .采用该方法制备的微传声器 ,在 50...
[期刊论文] 作者:杜晓杰 郞艳 葛永才 王同曜 丁修予, 来源:科学导报·学术 年份:2020
【摘 要】本文基于目标成本管理,对车体结构进行模块化设计,实现大部件通用的管理方法,使设计方法及设计内容更加合理、车间生产组装更加方便。同时,更有利于车辆后期的维护与保养,减少设计更改及后期维护的费用。  【关键词】目标成本管理;精益设计;模块化  一......
[期刊论文] 作者:王姝睿,刘忠立,徐萍,葛永才,姚文卿,高翠华, 来源:半导体学报 年份:2001
在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管...
[期刊论文] 作者:陆大成,韩培德,刘祥林,王晓晖,汪度,袁海荣,王良臣,徐萍,姚文卿,高翠华,刘焕章,葛永才,郑东, 来源:半导体学报 年份:2000
报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的...
相关搜索: