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[学位论文] 作者：蒋苓利,,
来源： 年份：2013
高压功率集成电路中静电放电（Electro-Static Discharge，ESD）防护，对于系统的稳定性和可靠性起到了至关重要的作用。研究功率集成电路ESD防护核心器件工作机理、提高高压ESD器件...
[期刊论文] 作者：樊航,蒋苓利,张波,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
Electro-static discharge(ESD)is always a serious threat to integrated circuits.To achieve higher robustness and a smaller die area at the same time,a novel prot...
[期刊论文] 作者：蒋苓利, 刘欢, 于洪宇,
来源：实验科学与技术 年份：2022
随着集成电路工艺技术呈现日新月异的发展，集成电路工艺实践的教学需要通过现代化的课程设计、完善的教学内容，全面培养学生在集成电路工艺领域的实践能力。通过对集成电路工艺实验教学的课程目标、课程内容、教学环节、课程考核等多方面讨论，展开对集成电路工艺实......
[期刊论文] 作者：蒋苓利,罗萍,蒲奎,赵璐,,
来源：实验科学与技术 年份：2006
为了更直观地描述低压大电流VDMOS器件特性，对器件栅电荷特性进行了测量和提取。通过栅电荷曲线（VGS—QG），能导出器件的电容特性，驱动电流大小及能量损耗等相关参数。分析了栅电荷......
[期刊论文] 作者：乔明,蒋苓利,张波,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2012
A 700 V BCD technology platform is presented for high voltage applications.An important feature is that all the devices have been realized by using a fully impl...
[会议论文] 作者：盛玉荣;樊航;蒋苓利;乔明;,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 年份：2012
堆叠NMOS(Stacked-NMOS,STNMOS)在静电放电保护(Electro-Static Discharge,ESD)设计中得到了广泛的应用,其可在不增加栅氧厚度的前提下,有效的提高了器件的栅氧可靠性和降低...
[期刊论文] 作者：蒋苓利,樊航,林丽娟,张波,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
To enhance the robustness of LDMOS ESD protection devices,the influence of a source-bulk layout structure is analyzed by theoretical analysis and numerical simu...
[期刊论文] 作者：蒋苓利，罗萍，蒲奎，赵璐，JIANGLing-li，LUOP,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2006
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[会议论文] 作者：曲黎明;盛玉荣;蒋苓利;罗小蓉;,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 年份：2012
LVTSCR(低压触发SCR)具有低触发电压,高二次击穿电压It2等特点,在ESD(静电防护)设计中具有广泛的应用,但其低Vhold(维持电压)很容易导致latch-up(闩锁效应),从而导致器件或电...
[会议论文] 作者：赵磊;乔明;蒋苓利;向凡;郑小明;,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
本文设计了单晶型100V LDMOS，其具有导通屯阻低和耐压高的优点。文中利用RESURF技术和场板技术优化其关态特性和开态特性；在工艺设计中，采用与低压器件兼容的BCD工艺，完成了工艺......
[期刊论文] 作者：蒋苓利,张波,樊航,乔明,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2011
Criterion for the second snapback of an LDMOS with an embedded SCR is given based on parasitic parameter analysis.According to this criterion,three typical stru...
[会议论文] 作者：韩山明,蒋苓利,喻钊,樊航,张波,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
基于自主开发的SOI高低压兼容工艺，研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性，分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流片后的TLP测试结果，发现NMOS和PMOS器件的ESD...
Analysis on the positive dependence of channel length on ESD failure current of a GGNMOS in a 5 V CM
[期刊论文] 作者：吴道训,蒋苓利,樊航,方健,张波,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
Contrary to general understanding,a test result shows that devices with a shorter channel length have a degraded ESD performance in the advanced silicided CMOS...
[期刊论文] 作者：林丽娟,喻钊,韩山明,蒋苓利,张波,,
来源：微电子学 年份：2011
随着高压集成电路的广泛应用,高压器件的ESD性能越来越受广大设计者的重视。从理论上分析了衬底寄生电阻对高压LDMOS器件ESD特性的影响,采用几种结构,对上述参数进行优化,并...
[期刊论文] 作者：韩山明,林丽娟,喻钊,蒋苓利,张波,,
来源：微电子学 年份：2012
分析了发生软失效的两种原因:电场诱导和热诱导。针对一种采用0.35μm BCD工艺的LDMOS器件,讨论了改变器件漂移区长度对软泄漏电流的影响。最终通过对漂移区长度以及源端和衬...
[期刊论文] 作者：王辉,王宁,蒋苓利,林新鹏,赵海月,于洪宇,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
A novel enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) is proposed and studied.Specifically,several split floating gates(FGs) with negative...
[会议论文] 作者：段双亮;乔明;蒋苓利;赵磊;陈波;李珂;王明石;刘清涛;,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
本文对单晶型700V高压LDMOS进行了优化设计。通过分析影响击穿电压的各种因素，以BCD工艺为基础，借助二维数据模拟软件MEDICI对具有Double-REsURF和场板结构的LDMOS进行模拟优化...
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