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[学位论文] 作者：薄报学,
来源：吉林大学 年份：2002
该论文的主要工作是对808nm波长的高功率半导体激光器相关制备技术进行了较为全面的研究,无论在材料生长方面还是在阵列工艺方面都提出了一些新的设计思想和技术方法.在激光...
[期刊论文] 作者：高欣,薄报学,
来源：发光学报 年份：1999
报道了８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ高功率连续阵列半导体激光器，在频率１００Ｈｚ，脉冲宽度２００μｓ，占空比达２０％时，单阵列条的输出光功率室温下达到３７Ｗ。......
[期刊论文] 作者：曲轶,薄报学,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（５００μｓ，１００Ｈｚ）输出功率达到２７Ｗ（室温），峰值波长为９３９￣９４１ｎｍ，并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的......
[期刊论文] 作者：高欣,曲轶,薄报学,
来源：光电子·激光 年份：2003
利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器.其有源区采用分别限制单量子阱结构,激射波长在980 nm左右,阵列器件由48个LD构成,在重复...
[期刊论文] 作者：薄报学,宋晓伟,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
在分析大功率半导体激光器的光束输出特性的基础上，针对Nd:YVO/KTP腔内倍频激光器的泵浦光源要求，研究了大功率半导体激光器光束输出的多种整形方法，同时比较了不同泵浦光束形状......
[期刊论文] 作者：王云华,薄报学,
来源：发光学报 年份：2013
利用传输矩阵理论对无光学损耗和有光学损耗的分布布拉格反射镜（Distributed Bragg reflector,DBR）分别进行了结构分析与优化。在光场正入射条件下,对具有HL、HLH、LH及LHL结构...
[会议论文] 作者：高永慧;薄报学;,
来源：第八届中国功能玻璃学术研讨会暨新型光电子材料国际论坛 年份：2015
有机电致发光器件(OLED：Organic light-emitting device)具有驱动电压低、效率高、成本低、能实现大面积全色显示等优点,在平板显示领域引起广泛的关注,近年来成为国内外...
[会议论文] 作者：曲轶,薄报学,高欣,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输出功率达到27W（室温），峰值波长为939～941nm，并分...
[期刊论文] 作者：王云华,薄报学,,
来源：发光学报 年份：2013
利用传输矩阵理论对无光学损耗和有光学损耗的分布布拉格反射镜(Distributed Bragg reflector,DBR)分别进行了结构分析与优化。在光场正入射条件下,对具有HL、HLH、LH及LHL结...
[会议论文] 作者：吕景文, 薄报学, 高欣,,
来源： 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：徐雨萌,薄报学,高欣,
来源：发光学报 年份：2019
为了有效降低GaAs表面态密度,获得稳定的高性能钝化膜,使用联氨溶液钝化GaAs(100)表面。通过光致发光对联氨溶液浓度、Na 2S浓度和钝化时间进行了优化。联氨溶液钝化后GaAs样...
[期刊论文] 作者：任杰,薄报学,高欣,周路,
来源：工业设计 年份：2012
通过射频反应溅射的方法制备Al2O3薄膜,并研究其中AL和O的化学配比,并取得初步结果。实验以高纯Al作为靶材,高纯度O2为反应气体,在单晶(100)Si片上镀制Al2O3薄膜。用XPS能谱...
[会议论文] 作者：曲轶,薄报学,张宝顺,张兴德,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：任杰,薄报学,高欣,周路,,
来源：工业设计 年份：2012
通过射频反应溅射的方法制备Al2O3薄膜,并研究其中AL和O的化学配比,并取得初步结果。实验以高纯Al作为靶材,高纯度O2为反应气体,在单晶(100)Si片上镀制Al2O3薄膜。用XPS能谱...
[期刊论文] 作者：宋晓伟,张宝顺,李梅,薄报学,
来源：光电子·激光 年份：1999
利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱结构材料。样品的测量结果表明，样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管，室温连续工作，功率为１ Ｗ，斜率效......
[期刊论文] 作者：薄报学,任大翠,张兴德,
来源：光学学报 年份：1995
通过对描述半导体激光器基本光波导方程的数值求解，分析了ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓ分别限制量子阱激光器的光学限制特性，比较了不同缓变结构及多量子阱结构的光学限制因子。The optical confinement......
[期刊论文] 作者：高欣, 薄报学, 曲轶, 张宝顺, 张兴德,,
来源：发光学报 年份：1999
报道了８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ高功率准连续阵列半导体激光器．在频率１０００Ｈｚ，脉冲宽度２００μｓ，占空比达２０％时，单阵列条的输出光功率室温下达到３７Ｗ．......
[期刊论文] 作者：战利伟,高欣,薄报学,计光,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2011
由于半导体激光器本身存在固有的缺陷：在平行于p-n结方向（慢轴方向）和垂直于p-n结方向（快轴方向）的发散角不同,这样就限制了其在许多领域的应用。在对半导体激光器光束进行深入的......
[期刊论文] 作者：薛珮瑶,何燕波,薄报学,高欣,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2008
应用几何光学的方法,设计了用于半导体激光光束快轴和慢轴准直并聚焦的光学系统,并用ZEMAX光学设计软件给出了模拟结果。该系统由四个柱面微透镜组成。快轴方向采用椭圆柱透...
[期刊论文] 作者：李辉,曲轶,薄报学,张兴德,
来源：光电子．激光 年份：2001
本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器,准连续...
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