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[学位论文] 作者：袁育杰,
来源：南开大学 年份：2009
微晶硅材料是国际公认的新一代高效、稳定的硅基薄膜太阳电池材料，nip结构因适于制备柔性太阳电池而成为当前研究的一个热点。本论文采用常规RF-PECVD技术成功制备了柔性衬底n...
[会议论文] 作者：刘玉岭,袁育杰,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
综述了各种GaAs表面处理技术尤其是硫钝化技术的发展、现状以及趋势.GaAs的各种硫化物钝化方法在改善GaAs表面特性和GaAs器件性能方面都具有一定效果,但是研究者们对硫钝化影响GaAs表面特性的机理还没有统一的认识.比如:陈溪滢认为硫钝化后GaAs器件性能的改善是......
[期刊论文] 作者：王胜利,袁育杰,刘玉岭,,
来源：润滑与密封 年份：2006
为了提高铜布线化学机械抛光效果，对其抛光工艺进行了研究。采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铜布线进行抛光，讨论了抛光压力、温度、氧化剂含量、 流量等对抛光速率的影响。结果......
[期刊论文] 作者：刘博,刘玉岭,袁育杰,,
来源：微纳电子技术 年份：2007
介绍了ULSI多层铜互连线中的碟形坑问题，对其产生的原因及影响因素进行了分析。针对影响因素中的工艺条件，分别进行了不同压力、温度、流量的试验，得到了上述各因素对抛光速率的......
[期刊论文] 作者：张远祥,刘玉岭,袁育杰,,
来源：清洗世界 年份：2006
通过研究硅片表面颗粒的吸附原理，提出了优先吸附模型，并提出改进SC-1的配方，不仅能去除颗粒，而且能有效去除有机物。介绍一些操作方法更加简单、去除更加彻底以及更加环保的清洗......
[期刊论文] 作者：袁育杰,张楷亮,魏臻,耿新华,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2010
采用高压高功率RF-PECVD技术,研究了三个系列的p层微结构特性和光学特性对电池性能的影响,获得了适合n-i-p微晶硅太阳电池的p型掺杂层.实验结果表明,p层的微结构特性与电池性能密切相关,具有特定结构的p层能够使电池性能大幅度提高,获得转换效率为8.17%(Voc=0.4......
[期刊论文] 作者：程东升,袁育杰,孙以材,潘国锋,,
来源：传感技术学报 年份：2006
研究并设计了一种用于油库安全监测的气体传感器。传感器中气体敏感元件是利用直流磁控溅射法制备的Al掺杂ZnO薄膜。此薄膜对汽油等有机蒸汽有较高的敏感性和较短的响应(恢复...
[期刊论文] 作者：袁育杰,刘玉岭,张远祥,程东升,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型，对抛光液的pH值、磨料、氧化荆浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程...
[期刊论文] 作者：程东升,孙以材,潘国锋,袁育杰,,
来源：仪表技术与传感器 年份：2006
研究并设计了一种用于矿井瓦斯气体安全监测的气体传感器。传感器中气体敏感元件是利用溶胶-凝胶法在陶瓷管外表面制备的Fe^3＋搀杂SnO2薄膜。此薄膜对甲烷等易燃易爆气体有较...
[期刊论文] 作者：程东升,孙以材,潘国锋,袁育杰,,
来源：传感器与微系统 年份：2006
用直流反应磁控溅射法在陶瓷基片上制备出TiO2薄膜。并进行1100℃，2h的退火处理。配置钼酸铵溶液，利用浸渍法处理TiO2薄膜若干时间。取出后，进行500℃，3h退火处理。用气敏测试箱......
[会议论文] 作者：袁育杰,刘玉岭,肇之雯,程东升,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了铜作为互连金属的优点、面临的困难及解决方案,讨论了阻挡层材料和低介电常数材料的的作用及选取原则,介绍了制备铜互连线的镶嵌工艺,指出其亟待解决的技术和理论...
[会议论文] 作者：王娟,李薇薇,张建新,袁育杰,刘玉岭,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
为满足介质CMP对平整度、去除速率、良好表面质量的要求,对其抛光液主要成分硅溶胶的生长进行研究,做了一系列关于硅溶胶生长的实验,在多次的分析比较之后,制备出了粒径均匀...
[期刊论文] 作者：袁育杰,侯国付,张建军,薛俊明,赵颖,耿新华,,
来源：半导体学报 年份：2008
采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备本征硅薄膜和n-i-p结构太阳电池,研究了氢稀释率对本征硅薄膜的电学特性和结构特性的影响.采用光发射谱(OES)和喇曼...
[期刊论文] 作者：侯国付,袁育杰,薛俊明,孙建,赵颖,耿新华,,
来源：中国科学(G辑:物理学 力学 天文学) 年份：2008
采用射频等离子体增强化学气相沉积方法制备了一系列不同硅烷浓度的硅薄膜材料,研究硅烷浓度变化对材料结构和电学特性的影响,寻找非晶/微晶相变域的位置;同时对材料沉积过程中的等离子体光发射谱(OES)进行了测试,并与Raman和电导结果相结合,研究采用OES的方法......
[会议论文] 作者：赵鹏, 薛俊明, 倪牮, 袁育杰, 侯国付, 孙建, 张建军,
来源： 年份：2004
采用RF-PECVD技术,制备NIP型非晶硅太阳能电池。系统研究了P型窗口层的掺杂浓度（B2H6/SiH4）和氢稀释率（H2/SiH4）对电池开路电压（Voc）的影响,制备出Voc达到0.87V,FF达到0.66,效率为8...
[会议论文] 作者：赵鹏, 薛俊明, 倪牮, 袁育杰, 侯国付, 孙建, 张建军,,
来源：第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代 年份：2008
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[期刊论文] 作者：赵之雯, 牛新环, 檀柏梅, 袁育杰, 刘玉岭,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺，阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题，总结了影响CMP工艺的多种因素，并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及......
[会议论文] 作者：袁育杰;张建军;侯国付;薛俊明;曹丽冉;赵颖;耿新华;,
来源：第十届中国太阳能光伏会议 年份：2008
本文采用高压RF-PECVD技术,制备了不同硅烷浓度的n型硅薄膜,研究了硅烷浓度对n型硅薄膜电学特性和结构特性的影响。将上述n型硅薄膜应用到n-i-p微晶硅太阳电池中,研究了n型掺...
[期刊论文] 作者：袁育杰,侯国付,张建军,薛俊明,曹丽冉,赵颖,耿新华,,
来源：中国科学(E辑:技术科学) 年份：2009
采用高压RF-PECVD技术,研究了恒定氢稀释法和梯度氢稀释法对本征微晶硅薄膜纵向结构和n-i-p微晶硅太阳电池性能的影响.结果表明,采用梯度氢稀释法能够调控本征微晶硅薄膜的纵向晶化率分布和晶粒尺寸,使电池性能得到大幅度提高,获得转换效率为5.7%(Voc=0.47V,Jsc......
[期刊论文] 作者：侯国付,薛俊明,袁育杰,张德坤,孙建,张建军,赵颖,耿新华,
来源：人工晶体学报 年份：2004
本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果.重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性...
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