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[期刊论文] 作者：逄永秀,
来源：电信科学 年份：1986
本文是对光纤通信用边发光二极管的综述。阐述了光纤通信用发光管所应具备的特性、器件结构特点、工艺原理、应用以及今后的发展趋向等。重点放在短波长边发光二极管,对长波长LED也进行了讨论。......
[期刊论文] 作者：逄永秀,,
来源：电子技术 年份：1982
一、引言自从六十年代初期半导体激光二极管(LD)问世以后,它就一直受到人们的重视,并且早已成为很活跃的研究领域.随着以0.85微米波长为中心的GaAlAs/GaAs LD的日趋成熟和长...
[期刊论文] 作者：逄永秀,府治平,
来源：发光学报 年份：1990
本文叙述了用液相外延法制得的1.55μm脊波导激光二极管。室温阈值电流100mA,单模线性输出5mW,光谱线宽小于2(?),脉冲响应上升时间约为100ps。分析了影响阈值电流的诸因素,如...
[期刊论文] 作者：逄永秀,龚连根,
来源：发光学报 年份：1990
本文报导了1.55μm InGaAsP/InP LED的制造工艺和性能测量。在100mA正向电流下,LED与多模光纤和单模光纤耦合后的出纤功率分别为20～30μW和2—4μW。讨论了获得准确p-n结位置...
[期刊论文] 作者：逄永秀,孙炳玉,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1986
The study on the diffusion of Cd and Zn in InP at a temperature range of 450—700℃ andtheir compared results are described in this paper.The effects of variou...
[期刊论文] 作者：逄永秀,孙炳玉,
来源：电子科学学刊 年份：1985
本文介绍了在450—700℃的广阔温度范围内研究Cd和Zn向InP扩散的结果,并对结果作了比较。详细研究了Cd,Zn及其化合物等不同杂质源对扩散的影响。我们用结深(x_j)的平方和时间...
[期刊论文] 作者：逄永秀,陈瑞璋,朱黎明,,
来源：电子技术 年份：1980
作为光通信系统的光源发光二极管(LED)具有价廉、可靠和发射功率随温度变化不大等优点,所以在很多系统中得到广泛应用。为了实现可靠的光通信系统,GaAs-Ga_(1-α)Al_αAsLED...
[期刊论文] 作者：吴陈周,潘慧珍,逄永秀,
来源：发光学报 年份：1987
本文阐明了影响GaAs/GaAlAs双异质结边发光管特性的因素,其中着重讨论了有源区的掺杂浓度和掺杂类型对DH-ELED光功率和调制能力的影响。结果表明:掺Si或轻掺Ge的LEDs具有较高...
[期刊论文] 作者：逄永秀,程宗权,沈彭年,潘慧珍,,
来源：电子技术 年份：2004
由于光纤通信的迅猛发展,在七十年代出现了许多不同结构形式的发光二极管,以实现各类传输系统对光源的高效率、长寿命与好的频响特性的要求.1975年由RCA实验室研制成功的“...
[期刊论文] 作者：逄永秀,程宗权,富小妹,朱黎明,王惠民,潘慧珍,
来源：通信学报 年份：1982
制成了用于光通信的快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光二极管(DHLED)。该器件带有光波导结构并具有适当掺杂和有源层厚度。其频响大于60MHz。最高辐射度为1017W/sr·cm~2。在150mA下尾纤输出功率达118μW,与光纤的耦合效率为11％(纤维芯径为φ=60μm,数值孔......
[期刊论文] 作者：泮慧珍,张桂成,徐少华,逄永秀,程宗权,富小妹,朱黎明,胡道珊,
来源：电子学通讯 年份：1981
用液相外延技术生长GaAs-Ga_(1-X)Al_XAs双异质结材料,并制成小面积高辐射度发光二极管。辐射度高达100w/sr·cm~2以上,尾纤(芯径60μm,N.A.=0.17)输出功率最高达200μW,外推...
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