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[期刊论文] 作者：李国华,郑宝真,
来源：半导体学报 年份：1990
在77K,0—60kbar范围内对在同一衬底上生长的In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下的光致发光进行了对照研究。在GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子...
[期刊论文] 作者：郑宝真,赛纳,
来源：红外与毫米波学报 年份：1996
用注入Ｇａ离子ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散，表现在ＰＬ光谱中量子际峰值能量有３０～９０ｍｅＶ的兰移，发现兰移大小同注入损作程度，退火的温度及时间有关，并得到快速退火中的互扩......
[期刊论文] 作者：郑宝真,许继宗,
来源：半导体学报 年份：1990
对不同阱宽的梯度折射率分别限制单量子阱激光器进行了TE、TM模的光增益谱测量对于阱宽大于120A的激光器,发射光谱和光增益谱都出现双峰,分别是由n=1和n=2的子带跃迁所造成,...
[期刊论文] 作者：李国华,郑宝真,韩和相,汪兆平,
来源：半导体学报 年份：1991
在77K下测量了不同阱宽(30-160A)的In_xCa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的静压下光致发光谱.静压范围为0-60kbar.发现导带第一子带到重空穴第一子带的激子发光峰的压力系数从 160A...
[期刊论文] 作者：徐强,徐仲英,郑宝真,许继宗,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
We present systematic studies of the alloy disorder dependence of line-widths in InGaAs/GaAs strained-layer quantum wells grown by molecular beam epitaxy using...
[期刊论文] 作者：徐仲英,徐强,郑宝真,许继宗,
来源：半导体学报 年份：1990
本文用光荧光光谱和激发光谱研究了分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱结构的界面特性。在极弱激发条件下,与界面相关的光谱特性可以分为三类:当样品界面较为平整时,光谱结构上出...
[期刊论文] 作者：李国华,郑宝真,韩和相,汪兆平,
来源：半导体学报 年份：1991
在77K下测量了不同阱宽(30-160A)的In_xCa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的静压下光致发光谱.静压范围为0-60kbar.发现导带第一子带到重空穴第一子带的激子发光峰的压力系数从 160A...
[期刊论文] 作者：徐强,徐仲英,郑宝真,许继宗,
来源：半导体学报 年份：1990
用光荧光和光吸收的实验方法研究了InGaAs/GaAs应变量子阱低温下的光谱展宽机理。实验观察到激子谱线半宽随着InGaAs层厚度和In的组分增加而增大。采用有效晶体近似的方法分...
[期刊论文] 作者：袁之良,许继宗,郑宝真,徐仲英,
来源：红外与毫米波学报 年份：1995
用光荧光（ＰＬ）和时间分辨光谱（ＴＲＰＬ）技术研究了ＧａＡＳ／ＡＩＧａＡＳ量子阱结构中荧光上升时间τｆ和激子谱线半宽（ＦＷＨＭ）随阱宽的变化关系，发现在窄阱中，τｆ，随阱宽的变化关系与宽阱时的情况恰恰相反，在窄阱中τｆ随着阱宽的......
[期刊论文] 作者：弓继书,郑宝真,庄蔚华,徐仲英,
来源：半导体学报 年份：2004
本文研究了激光退火使离子注Zn的GaAs层获得高的表面浓度作P~+层.所用的调Q红宝石激光器能量密度1～1.5J/cm~2、脉宽20ns.霍尔测量得到的表面空穴浓度达3.3 × 10~(19)-8.7 ×1...
[会议论文] 作者：郑宝真,许继宗,李晴,刘保利,徐仲英,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：李国华,郑宝真,韩和相,汪兆平,T G.Andersson,Z.G.Chen,
来源：半导体学报 年份：1989
在室温和液氮温度下,0-60kbar范围内对In_xGa(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构进行了静压光致发光研究.在室温下,量子阱中发光峰随压力的变化是亚线性的,而在液氮温度下是线性的...
[期刊论文] 作者：徐仲英,许继宗,葛惟锟,郑宝真,T.G.Andersson,Z.G.Chen,
来源：半导体学报 年份：1988
本文详细研究了In_xGa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的光学性质.用一维方势阱模型和应变对能带结构的影响解释了荧光发射峰.观察到应变对热电子弛豫过程的影响,并发现用光荧光实验...
[期刊论文] 作者：徐仲英,罗昌平,金世荣,许继宗,郑宝真,
来源：半导体学报 年份：1995
本文详细测量并分析了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中的激子发光衰退特性，研究了激子发光寿命与Ｉｎ组分和阱宽的关系．发现Ｉｎ组分增大时，激子寿命变短，而发光寿命与阶宽的关系不大．文章分析了影响发光寿命......
[期刊论文] 作者：徐仲英,谢茂海,徐强,郑宝真,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1990
用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算...
[期刊论文] 作者：吕振东,李晴,许继宗,郑宝真,徐仲英,葛惟锟,
来源：物理学报 年份：1999
介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点发光动力学的研究结果．实验发现，自组织ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点结构的发光寿命大约为１ｎｓ，与ＩｎＡｓ层厚度关系不大；激子寿命与......
[会议论文] 作者：郑宝真,袁之良,吕振栋,李勤,许继宗,徐仲英,
来源：第九届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：徐仲英,许继宗,李玉璋,葛惟锟,陈宗圭,郑宝真,
来源：红外研究 年份：1989
用皮秒时间分辨荧光相关技术研究了In_xGa_(1-x)As/GaAS应变量子阱中的热载流手弛豫过程,结果表明,In组分x值(不同应变)对载流子弛豫寿命有明显的影响;与体材料相比,热载流子...
[期刊论文] 作者：庄蔚华,郑宝真,徐俊英,李玉璋,许继宗,陈培力,
来源：半导体学报 年份：1984
在1.3μm InGaAsP/lnP DH激光器发射谱中,我们观测到 0.95μm的短波发射带.实验分析表明这一发射带不是由结偏位引起,也不是有源区中导带到自旋轨道分裂价带的复合发光.当温...
[会议论文] 作者：徐仲英,刘宝利,李建斌,杨辉,郑宝真,葛惟昆,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
InGa是制备NGaN基蓝绿光发光、激光器件的重要材料。研究人员用时间分辨光谱和稳态光荧光研究了其发光特性和复合发光寿命。...
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