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[期刊论文] 作者：郭怀喜,李爱国,
来源：武汉大学学报：自然科学版 年份：1994
β-C_3N_4是一种首先运用固体量子理论和计算机技术,通过人工设计具有理想成分和结构以及预期优异性能的新材料,Liu和Cohen的理论计算表明:一种晶体结构类似β-Si_3N_4的...
[期刊论文] 作者：郭怀喜,范湘军,
来源：武汉大学学报：自然科学版 年份：1991
在离子注入机靶室中,用原位蒸镀多层薄膜和离子束混合方法获得了非晶 Fe-Cr薄膜。用透射电镜分析了 Cr 的含量、不同的轰击离子、不同的轰击剂量对膜的非晶化程度的影响。用...
[期刊论文] 作者：郭怀喜,范湘军,
来源：武汉大学学报：自然科学版 年份：1989
在200keV离子注入机的变温靶上交叠蒸镀多层Al-Mn薄膜,用Ar~+离子束在室温下轰击使其非晶化,原位测量薄膜样品的电阻率随离子剂量以及温度的变化关系,电阻温度系数TCR及TEM观...
[会议论文] 作者：郭怀喜,李爱国,
来源：第六届电子束离子束学术年会 年份：1995
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[会议论文] 作者：范湘军,郭怀喜,
来源：’94秋季中国材料研讨会 年份：1994
用电弧入电法制备成功固体氮化碳。用ＸＰＳ法证实了Ｃ－Ｎ共价键的生成，用ＸＲＤ和ＴＥＤ检验其结构，结果和Ｎｉｕ等基本相符。...
[会议论文] 作者：郭定和,郭怀喜,
来源：’94秋季中国材料研讨会 年份：1994
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[会议论文] 作者：张志宏,郭怀喜,
来源：97全国荷电粒子源粒子束学术会议 年份：1997
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[期刊论文] 作者：程世昌,范湘军,郭怀喜,,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：2004
本文介绍一种经过改进的气固两用高频离子源。这种离子源改变了旧源的附加磁场,高频耦合感应圈与引出电极之间的安排方向,采用了顶部薄壁的吸极的引出系统以及将管状固体蒸发...
[期刊论文] 作者：孟宪权,任大志,郭怀喜,范湘军,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：1995
对目前广泛用于制备高Ｔｃ（转变温度）超导薄膜的环形磁控溅射成膜提出了一种新的理论模型，采用泰勒展开计算出了三阶近似的解析结果．通过计算机作出了薄膜生长速率及厚度均匀性随薄膜......
[期刊论文] 作者：吴大维,张志宏,罗海林,郭怀喜,范湘军,
来源：材料研究学报 年份：1997
采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．The deposition of ZrN thin film by DC reacti...
[期刊论文] 作者：吴大维, 范湘军, 郭怀喜, 张志宏, 李世宁,,
来源：材料科学与工程 年份：1997
本文采用射频等离子体增强化学气相生长法（ＰＥＣＶＤ），在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在（１００）晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为（１０１）晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和Ｘ射......
[期刊论文] 作者：黄浩,孟宪权,王琼,郭怀喜,范湘军,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：1999
根据离化簇团束的基本性质与原理，运用反应离化簇团束技术在低衬底温度下制备了氮化镓薄膜．透射电子显微镜和扫描电子显微镜测定出该薄膜为多晶薄膜．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测定结果表明......
[期刊论文] 作者：范湘军,郭怀喜,刘昌,王叔琪,余全华,
来源：真空科学与技术 年份：1989
在200keV离子注入机上设计和建造了一个多功能靶室,它装有:(1)四源真空蒸发沉积系统;(2)石英晶体膜厚计;(3)高低温度温靶;(4)“原位”四探针电阻测量系统。用本装置制备了离...
[期刊论文] 作者：金准智,胡立新,邹宪武,郭怀喜,向梅芝,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：1995
测量了含Ｔｅ４０％～７０％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｔｅ合金在７００～８５０℃和含Ｓｅ４０％～６５％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｓｅ合金在７００～９００℃的电阻率．得到在所述成分范围内，液态Ｂｉ－Ｔｅ合金保持金属导电性；而对于液态Ｂｉ－Ｓｅ合金，当成分接近Ｂｉ２Ｓｅ３配比时，发生金属－非金属转变．从原子间键合方式和能态......
[期刊论文] 作者：路险峰,李金钗,郭怀喜,张志宏,叶明生,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
CNx thin films were prepared using low pressure plasma enhanced chemical vapour deposition, and then bom-barded by low-energy N+2. The compositions before and a...
[会议论文] 作者：路险峰;李金钗;郭怀喜;张志宏;叶明生;,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
采用低压等离子体增强化学气相沉积法(LP-PECVD)制备氮化碳薄膜;低能离子注入机对制备的薄膜进行N注入掺杂.X射线光电子能谱(XPS)分析了N注入前后氮化碳薄膜中N、C的含量及其...
[期刊论文] 作者：吴大维,何孟兵,范湘军,郭怀喜,范炜,傅德君,
来源：材料导报 年份：1998
研究了生长在硅片、合金钢片上的氮化碳薄膜的X射线衍射谱(XPD)。实验结果表明在硅片上先生长Si_3N_4过渡层和对样品进行热处理,有利于β-C_3N_4晶体的生成。不同晶面的硅衬...
[期刊论文] 作者：彭友贵,阎宏生,叶明生,肖年,郭怀喜,,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：1992
本世纪70年代以来,用离子注入方法改变金属材料表面特性取得了很大进展,经离子注入后某些金属材料表面的耐磨,耐腐蚀和抗氧化性能均有很大的提高。目前,这一高技术正在机械...
[期刊论文] 作者：吴大维,张志宏,范湘军,郭怀喜,孟宪权,王国梅,
来源：功能材料 年份：2004
采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（１ｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ１）＝３９８．０～３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ２）＝２８４．６～２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ１）＝３９８．０～３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ２）＝４００．０～４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ３杂化轨道成键和ｓｐ２杂化轨道成键两种键合形式。......
[期刊论文] 作者：蔡先体,黄启俊,黄浩,孟宪权,郭怀喜,范湘军,
来源：半导体光电 年份：2001
讨论了反应离化团簇束沉积（RICBD）方法的原理和特点，利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜, 并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析，证实形成了良好的GaN薄...
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