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[期刊论文] 作者：陈建炉,
来源：新课程·教研版 年份：2011
摘 要：激励性评价是促进学生发展的有效措施，农村初中学生学习思想品德课中灵活、合理地运用激励性评价显得尤其重要，笔者在教学中主要运用了期望激励性评价、语言激励性评价、活动参与激励性评价等方式进行教学，并取得了理想的效果。 关键词：农村初中；教学的有效......
[期刊论文] 作者：邱凯,张晓娟,陈建炉,
来源：微纳电子技术 年份：2003
在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的MetamorphicHEMT(简称MM-HEMT)。通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数...
[期刊论文] 作者：邱凯,张晓娟,陈建炉,
来源：微纳电子技术 年份：2003
设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率.在使用InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能...
[期刊论文] 作者：邱凯,张晓娟,陈建炉,
来源：微纳电子技术 年份：2003
在GaAs衬底上利用分子来外延技术生长了不同In组分的Metamorphic HEMT(简称MM—HEMT)。通过对MM—HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参...
[会议论文] 作者：谢自力,邱凯,陈建炉,张晓娟,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
利用GEN-Ⅱ型进口分子束外延设备生长InGaAs/AlGaAS/GaAs异质结构材料,并进行了材料结构优化设计和材料特性研究,并用于研制PHEMT器件....
[会议论文] 作者：邱凯,方小华,谢自力,王向武,陈建炉,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：邱凯,谢自力,尹志军,张晓娟,陈建炉,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体材料,并生长了高性能的P沟道HFET材料....
[期刊论文] 作者：谢自力,邱凯,尹志军,方晓华,陈建炉,蒋朝辉,
来源：微纳电子技术 年份：2002
通过对MBE工艺中影响GaAs和AlxGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺.用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,...
[期刊论文] 作者：谢自力,邱凯,尹志军,方晓华,陈建炉,蒋朝辉,
来源：微纳电子技术 年份：2002
通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,...
[会议论文] 作者：谢自力,邱凯,尹志军,方晓华,陈建炉,蒋朝辉,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
本文用GEN-ⅡMBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的材料,并用范德堡法、电化学C-V法和PL谱法研究了该材料的性能....
[会议论文] 作者：谢自力,邱凯,尹志军,方晓华,陈建炉,蒋朝辉,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
用GEN-Ⅱ MBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结构材料.通过对MBE生长工艺中影响GaAs,AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了用GEN-Ⅱ MBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结...
[会议论文] 作者：谢自力,邱凯,尹志军,方晓华,陈建炉,蒋朝辉,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
本文用GEN-ⅡMBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的材料,并用范德堡法、电化学C-V法和PL谱法研究了该材料的性能....
[期刊论文] 作者：邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉,
来源：电子器件 年份：2001
我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g-m≥400 ms/mm,BV-{DS}>1 5V,BV-{GS...
[期刊论文] 作者：邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉,
来源：电子器件 年份：2001
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVD...
[会议论文] 作者：邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应变InGaAs沟道的生长条件,生长出性能良好的PHEMT材料......
[期刊论文] 作者：谢自力, 邱凯, 尹志军, 方小华, 陈建炉, 王向武, 陈堂胜,
来源：微纳电子技术 年份：2002
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[期刊论文] 作者：谢自力,邱凯,尹志军,方小华,陈建炉,王向武,陈堂胜,高建峰,
来源：微纳电子技术 年份：2002
概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。...
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