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[期刊论文] 作者：邵永富,陈自姚,
来源：半导体学报 年份：1986
本文提出的拟合法是以光响应作为αW和αL_p的函数,在知道α的情况下,拟合曲线求得L_p值.结合外推法,反过来校正α值,似可以补充外推法的不足和得出较正确的L_p值.我们分别采...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,陈自姚,,
来源：Scientia Sinica 年份：1964
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[期刊论文] 作者：陈自姚,彭瑞伍,
来源：金属学报 年份：1965
熔融CuCl的蒸气压虽有不少研究工作者进行了测定,但结果不甚一致。AgCl-CuCl熔体的蒸气压则尚未见报道。本文目的为用载而法测定CuCl和AgCl-CuCl熔体的蒸气压,并根据AgCl-Cu...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,陈自姚,,
来源：科学通报 年份：1963
惰性气氛下Cu和Ti在熔融碱金属卤化物中的溶解現象早已为人們所发現。关于金属在熔体中的溶解机理有下列三种說法:(1)Stern証明Ag在NaCl熔体中的溶解,主要是化学相互作用,即...
[期刊论文] 作者：邵永富,陈自姚,彭瑞伍,
来源：半导体学报 年份：1982
本文讨论了影响电化学C-V法测量半导体载流子浓度分布的因素,其中包括接触面积、半导体种类、电解液种类和界面分辨率等.已经证明用直接补偿法可以有效地校正寄生面积对浓度...
[期刊论文] 作者：陈自姚,邵永富,朱福英,
来源：半导体学报 年份：1986
本文报道在研究Si/EL电极过程基础上,将电化学C-V技术用于测定适合VLSI用的双极型晶体管多层结构材料的载流子浓度剖面分布.This paper reports the electrochemical C-V t...
[期刊论文] 作者：邵永富,陈自姚,彭瑞伍,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1982
为了配合我所Ⅲ—V族半导体材料的研究,我们用电化学技术测定了GaAs和InP以及有关化合物材料的特性,其中有些特性用其他方法是无法或难以测得的。本文报导最近2～3年来我们在...
[期刊论文] 作者：陈自姚,邵永富,彭瑞伍,
来源：科学通报 年份：1982
一、引言目前正在发展的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件如FET,激光器和太阳电池等用的材料均要求多层、异质和p-n结等结构,而常用的C-V法和Hall法不能同时测定这类材料的载流子浓...
[期刊论文] 作者：陈自姚,邵永富,彭瑞伍,
来源：稀有金属 年份：1981
本文叙述了电化学C-V法测量SI-GaAs和n~+-GaAs衬底上的单层和双层外延层中的载流子浓度分布及其厚度。测量和讨论了亚微米有源层、单层和多层结构中的界面过渡区的特性。Th...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,陈自姚,邹元爔,
来源：金属学报 年份：1965
熔盐体系中的活度通常用电动势法测定。但当构成熔盐的金属的电负性相近时,由于金属与熔盐的相互作用而使该法受到一定限制。在这种情况下,用蒸气压法或化学平衡法可以避免...
[期刊论文] 作者：陈自姚,邵永富,梁琦,彭瑞伍,
来源：半导体光电 年份：1981
InP及其三元,四元化合物材料,在微波器件和光电器件中的应用日益广泛,但是,目前尚缺乏一个简便的方法同时测量生长材料的载流子浓度,外延层厚度和P—N结位置等参数。电化学C...
[期刊论文] 作者：张桂成,吴征,陈自姚,周炳林,
来源：电子科学学刊 年份：1989
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E...
[期刊论文] 作者：陈自姚,邵永富,朱福英,彭瑞伍,
来源：半导体学报 年份：1985
本文详细报道了用光电化学法测量Al含量的装置、原理以及原位测量GaAlAs层中Al含量的纵向分布结果,并与双晶衍射、俄歇分析和光吸收法结果作了比较,结合电化学c—V技术获得了...
[期刊论文] 作者：王建新,郑燕兰,邱建毕,李存才,陈自姚,朱福英,谭文玲,李爱珍,,
来源：半导体情报 年份：1991
本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10~(14)～1.2×10~(19)cm~(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10~(14)cm~(-3),μ...
[期刊论文] 作者：王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐,
来源：应用科学学报 年份：2004
本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10~(12)cm~(-2),接触层注入条件为50keV、8×10~(12)cm~(-2),退火条件为800℃30分钟.FET的铝...
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