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[学位论文] 作者：陈谷然,
来源：南京大学 年份：2010
随着人类社会进入21世纪，社会的发展和科学技术的进步使人类对信息传输、处理的要求越来越高。而用光子作为信息的载体，采用光通信将是下一代通信的解决方案。这也使得发展与硅......
[会议论文] 作者：王雯,陈刚,陈谷然,李理,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。由于台面线宽在微米量级，因此套准......
[会议论文] 作者：王雯[1]陈刚[2]陈谷然[1]李理[1],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造......
[期刊论文] 作者：李飞飞,陈谷然,应贤炜,黄润华,栗锐,柏松,杨勇,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2022
针对电动汽车、光伏、储能等战略性新兴产业对高可靠高效率碳化硅功率MOSFET器件的需求，开展了650 V碳化硅外延结构、芯片JFET区尺寸和掺杂等关键技术研究，研制出比导通电阻2.3 mΩ·cm~2的650 V、200 A碳化硅MOSFET。器件在漏极电压900 V时，漏源漏电流小于1μA；在......
[期刊论文] 作者：宋超,陈谷然,徐骏,王涛,孙红程,刘宇,李伟,陈坤基,,
来源：物理学报 年份：2004
采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术...
[期刊论文] 作者：李士颜,牛利刚,陈谷然,刘强,黄润华,柏松,杨勇,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
南京电子器件研究所自主研发了基于自对准沟道的低导通电阻SiC MOSFET技术,采用6英寸SiC MOSFET工艺平台,研制出1 200V,25mΩ SiC MOSFET大容量芯片,图1(a)为晶圆图片.攻克了多芯片并联均流设计、低寄生参数封装等关键技术,研制出一款新能源汽车用1 200 V/600A ......
[期刊论文] 作者：陈谷然,宋超,徐骏,王旦清,徐岭,马忠元,李伟,黄信凡,陈坤基,,
来源：物理学报 年份：2010
利用准分子脉冲激光晶化非晶硅薄膜是制备高密度尺寸可控的硅基纳米结构的有效方法之一.本文将脉冲激光对非晶硅超薄膜的影响处理为热传导问题,采用了基于Tersoff势函数的分...
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