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[期刊论文] 作者：M.Wittmer,黄礼蓥,,
来源：半导体情报 年份：1978
Au-Ge-Ni金属化系统广泛地用在砷化镓上作合金接触。我们借助热处理研究了惰性衬底上的这三种元素的相互作用。我们的研究指出,Ni的作用相当于消耗从Au中扩散出来的Ge(通常Au...
[期刊论文] 作者：S.Igi,黄礼蓥,,
来源：半导体情报 年份：1983
采用倒装和电镀源桥结构研制了一种10GHz下输出功率为2W和5W的内匹配GaAsFET,并联两只5W器件实现了X波段7W固体放大器。An internal matching GaAsFET with output power o...
[会议论文] 作者：邱旭,杨梦丽,黄礼蓥,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
该论文中介绍了X波段大功率HFET的设计、制作和性能,包括电路的CAD优化设计,GaAs HFET工艺技术研究,功率合成技术研究等.经测试该器件性能在8.8~9.5GHz,输出功率大于6W,增益...
[期刊论文] 作者：黄礼蓥,何大伟,杨淑芳,,
来源：半导体情报 年份：1987
本文通过简要分析,阐明内匹配方法是GaAs微波功率场效应晶体管实现大功率的必由途径。介绍了内匹配网络的特点和要求。详细叙述了DX581型微波功率场效应晶体管内匹配网络的设...
[期刊论文] 作者：中谷正昭,隈部久雄,黄礼蓥,,
来源：半导体情报 年份：2004
砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(以下缩写成 GaAs SB FET)在微波领域中与硅双极晶体管相比显示出更多的优良特性,在微波通信设备的微波放大器和振荡器中,从小信号低噪声和...
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