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[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1999
利用ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高，不等位电压温漂小等优点，可用于电流传感器，无刷电机等磁敏传感器，具有广阔的应用前景。...
[期刊论文] 作者：于磊,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了ＧａＡｓ基ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ量子点（ＱＤ）的ＭＢＥ生长条件，发现在一定的Ⅴ／Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ ＱＤ形成及形状的一对重要因素，其中衬底温度直接影响着Ｉｎ的偏析程度，决定了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的生长模式；生长速率影响着ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ外延......
[期刊论文] 作者：曾一平,干岭,
来源：安徽医科大学学报 年份：1998
目的 观察硬膜外吗啡镇痛对经胸食道癌根治术病术术后心肌缺血的影响。方法 ２２例手术病人随机分成镇痛组（ｎ＝１２）和对照组（ｎ＝１０），镇痛组在手术结束之前硬膜外注入吗啡０．０４ｍｇ·ｋｇ＾－１，二组均应用Ｈｏｌｔｅｒ连续监......
[期刊论文] 作者：曾一平,邓小强,
来源：安徽医科大学学报 年份：1998
观察艾司洛尔控制围麻醉期心律失常和高血压的疗效。方法 １５例择期手术病人，ＡＳＡ分级Ⅰ－Ⅱ级，围麻醉期经处理，１０－２０ｍｉｎ后心室率仍≥１２０次，首次静注艾司洛尔１ｍｇ．ｋｇ＾－１，记录用药量，用药后１，３，５，７，１０ｍｉｎ收缩压，舒张压和心率，如６ｍｉｎ未......
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,
来源：传感器技术 年份：1998
利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了薄膜Ｈａｌｌ器件。这种Ｈａｌｌ器件具有灵敏度高，温度特性好等优点，室温下的体积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ．ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ．ｋＧｓ（灵敏度比相同掺杂的ＧａＡｓＨａｌｌ器件高５０％），在......
[期刊论文] 作者：曾一平,张野,
来源：安徽医学 年份：1998
心率变异被认为是反映心脏植物神经活性的指标,近年来受到普遍关注.本文对20例开胸食道癌根治术患者术后镇痛期进行心率变异(HRV)观察分析,探讨其临床意义.临床资料一、...
[期刊论文] 作者：李东临,曾一平,,
来源：物理学报 年份：2006
利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度...
[会议论文] 作者：王红梅,曾一平,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：吴文,曾一平,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
研究人员用分子束外延方法在GaAs（001）衬底上生长了以InGaAs为沟道的HEMT材料。对应于P-HEMT（Pseudomorphic HEMT），这种HEMT被称为Metamorphic HEMU简称MM-HEMT。为了克服衬底和器...
[会议论文] 作者：周宏伟,曾一平,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
研究人员利用在GaAs衬底上MBE生长的高迁移率的InAs薄膜，成功地制备了InAs Hall器件。在内阻相同的情况下，InAs Hall器件的灵敏度是GaAs Hall器件的1.5倍，内阻温度特性也比GaAs...
[会议论文] 作者：潘栋,曾一平,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
首次报道了低组分（Ｉｎ￣０．３）的２０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格的生长，用透射电镜（ＴＥＭ）直接观察到清晰的无位错的量子点超晶格的结构，量子点的平均尺寸大小：直径３０ｎｍ和高度６－７ｎｍ。......
[期刊论文] 作者：曾一平,孔梅影,
来源：电子显微学报 年份：1997
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ奕变单量子阱激光器并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＴＮＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器......
[期刊论文] 作者：曾一平,胡宗林,
来源：实用预防医学 年份：2004
为了解贫困瑶族山区农村妇女对孕产期保健知识掌握情况,为促进其健康行为的建立,提高住院分娩率提供科学依据.遂于2002年10月～2003年5月,对本县4个瑶族乡36个村的369例孕产妇...
[期刊论文] 作者：曾一平,胡宗林,,
来源：中国健康教育 年份：2008
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[期刊论文] 作者：曾一平,孔梅影,
来源：半导体情报 年份：1991
利用国产MBE设备,我们研制了多种多用途的GaAs/AlGaAs器件结构材料,并制作出GaAs/AlGaAs量子阱激光器、GaAs/GaAlAs自电光效应器件(SEED)、GaAs/AlGaAs HEMT等多种器件。...
[期刊论文] 作者：孔梅影,曾一平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是对分子束外延材料市场的推动。介绍了实验研制的高性能MBE二维材料及其器伯的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的...
[期刊论文] 作者：曾一平,胡宗林,
来源：实用预防医学 年份：2002
医学因素是孕产妇死亡的直接原因,而影响贫困地区孕产妇死亡的非医学因素如:卫生资源、卫生保健、社会条件、健康状况、生育因素等与孕产妇死亡间接相关,在研究减少孕产妇死...
[期刊论文] 作者：李国辉,曾一平,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ是制作光电器件与微波器件的重要材料。离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题。采用Ｆｅ＾＋注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ得到了电阻率升高的好结果。用Ｂｅ＾＋注入制作了新结构ＨＰＴ的基区。研制成功了在......
[期刊论文] 作者：黄万霞,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1999
用固定能量为２０ｋｅＶ，剂量为１０＾１１￣１０＾１３／ｃｍ＾２的质子和固定剂量为１０＾１１／ｃｍ＾２，能量为３０￣１００ｋｅＶ的质子，对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论。结果表明，质子辐照对材料的光......
[期刊论文] 作者：胡宗林,曾一平,
来源：实用预防医学 年份：2005
目的 探讨江永县贫困山区瑶族乡0～4岁儿童营养不良的患病情况。方法 采取随机整群抽样调查的方法，对全县1166例0～4岁儿童营养不良患病情况进行了调查。结果 受调查儿童中营养不......
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