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[期刊论文] 作者：蒋幼泉,李拂晓,黄念宁,钮利荣,陈新宇,邵凯,杨乃彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距...
[期刊论文] 作者：陈继义,蒋幼泉,陈堂胜,刘琳,王泉慧,吴禄训,李祖华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
南京电子器件研究所业已研制成功的GaAsMMICDPDT开关采用全离子注入、全平面干法技术，它是一种多栅结构的MESFET功率开关。具有承受功率大、功率线性好、插人损耗小、单片集成...
[期刊论文] 作者：柏松,吴鹏,陈刚,冯忠,李哲洋,林川,蒋幼泉,陈辰,邵凯,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽。SiC MESFET具有高功率密度、高工作电压等优势，成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一。SiC MESFET...
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,钱峰,冯欧,蒋幼泉,李拂晓,邵凯,叶玉堂,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端，它包括金属-半导体-金属（MSM）光探测器和分布放大器．探测器光敏面积为50μm×50μm，电容为0．17pF，4V偏压下的...
[期刊论文] 作者：陈新宇,徐全胜,陈继义,陈效建,郝西萍,李拂晓,蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,具有很好的宽带微波特性.在0.1～20 GHz频率范围内,器件测试值与模型模拟值吻合较好....
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,陈继义,钮利荣,高建峰,邵凯,杨乃彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
采用砷化镓76 mm 0.7 μm离子注入MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓DPDT单片射频开关(以下简称单片开关). 该单片开关面积1 310 μm×1 250 μm,总栅宽36 mm,工作频率DC...
[期刊论文] 作者：柏松，陈刚，李哲洋，张涛，汪浩，蒋幼泉，BaiSong，ChenGang，LiZheyang，ZhangTao，WangHao，JiangYouquan,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：陈刚，柏松，张涛，汪浩，李哲洋，蒋幼泉，ChenGang，BaiSong，ZhangTao，WangHao，LiZheyang，JiangYouquan,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：陈新宇,陈继义,郝西萍,洪倩,蒋幼泉,李拂晓,陈效建,
来源：半导体学报 年份：2002
提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微...
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;陈继义;钮利荣;高建峰;邵凯;杨乃彬;,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关).该单片开关面积1310×1250μm,总栅宽36mm,工作效率DC-2GHz,1GHz下插入损...
[期刊论文] 作者：王佃利,刘洪军,吕勇,严德圣,盛国兴,王因生,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠...
[期刊论文] 作者：冯忠,焦世龙,冯欧,杨立杰,蒋幼泉,陈堂胜,陈辰,叶玉堂,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
利用0．5pmGaAsPHEMT技术研究了适用于单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端的关键工艺，解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题，包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影...
[期刊论文] 作者：冯欧,冯忠,杨立杰,焦世龙,蒋幼泉,陈堂胜,李拂晓,叶玉堂,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路，包括金属一半导体一金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm^2，电容小于0．1...
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,蒋幼泉,冯欧,冯忠,杨立杰,李拂晓,陈辰,邵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探......
[会议论文] 作者：杨乃彬;李拂晓;张斌;陈堂胜;蒋幼泉;沈亚;高建峰;彭龙新;,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文简要地介绍了中国电子科技集团公司第五十五研究所在砷化镓微波单片集成电路研究与开发方面的进展与突破.采用砷化镓0.5微米MESFET、HFET、PHEMT技术研制成功各类宽带及...
[会议论文] 作者：陈刚,蒋幼泉,李哲洋,张涛,吴鹏,冯忠,汪浩,陈征,陈雪兰,柏松,
来源：全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2008
本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、9mm、20mm的芯片,经过装架、压丝,通过自主搭建的脉冲微波测试系统,......
[期刊论文] 作者：刘洪军,王建浩,丁晓明,高群,冯忠,庸安明,严德圣,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
通过进一步优化芯片设计与工艺设计,研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下,脉宽150μs,占空比10%,频率1.2~1.4GHz全带内,输出功率可达370 W以上,增益达...
[期刊论文] 作者：王佃利,李相光,严德圣,丁小明,刘洪军,钱伟,蒋幼泉,王因生,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表...
[期刊论文] 作者：蒋幼泉,陈继义,李拂晓,高建峰,徐中仓,邵凯,陈效建,杨乃彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓MMIC射频开关.该产品在870～970 MHz下,线性功率容量＞33 dBm,插入损耗(IL)＜0.6 dB,隔离度(Iso)≥17 dB,反向三阶交调(PT01)≥70 dBm,控制...
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,吴振海,徐中仓,钮利荣,周剑明,邵凯,杨乃彬,
来源：半导体学报 年份：2002
采用 Ga As75 mm 0 .7μm离子注入场效应晶体管 (MESFET)标准工艺技术研制出手机用 Ga As双刀双掷(DPDT)单片射频开关 (以下简称单片开关 ) .成品率分析表明 ,影响单片开关直...
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