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[期刊论文] 作者：张健,方能新,李云芳,曾一平,吴蓉蓉,戴秀萍,
来源：安徽医科大学学报 年份：2001
目的探讨胸内气管、隆突、支气管手术中气管插管和肺通气方式的选择.方法①气管插管:根据手术部位不同选择经口和经术野两次插管法、双腔管和单腔管插管法.②肺通气方式:气管...
[会议论文] 作者：于磊,曾一平,孔梅影,潘量,李灵霄,李晋闽,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：吴文,曾一平,孔梅影,潘量,中科院半导体研究所材料科学中心(北京),
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：郑海群,孙殿照,阎春辉,梁基本,曾一平,孔梅影,,
来源：半导体情报 年份：1991
本文介绍了AlGaAs/GaAs系列HEMT用的调制掺杂(MD)材料的研制工作,并且给出了用该材料研制的器件结果。This article describes the development of AlGaAs / GaAs series o...
[会议论文] 作者：于磊,曾一平,孔梅影,潘量,李灵霄,李晋闽,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：刘尧,肖绪瑞,曾一平,阎春辉,郑海群,孙殿照,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1997
研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_1_xAs超晶格量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极。......
[期刊论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：科学通报 年份：2002
过去的几年中,由于1.31和1.55 μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用。磷化锢(InP)衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动,并已逐步成为继硅(Si)和...
[会议论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文讨论了掺杂元素及其浓度的变化对磷化铟(InP)晶格常数带来的影响,并说明这种变化实际意义.研究结果表明:InP晶格大小变化的主要原因是由于掺杂元素的四面体共价半径不同...
[期刊论文] 作者：王红梅,曾一平,周宏伟,董建荣,潘栋,潘量,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1998
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏......
[会议论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,李灵霄,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发现了零场自旋分裂现象....
[会议论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,李灵霄,林兰英,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的电子迁移率与电子浓度都非常接近,这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长MM-HEMT的buffer缓冲层是成功的.......
[期刊论文] 作者：于磊,曾一平,潘量,孔梅影,李晋闽,李灵霄,周宏伟,
来源：半导体学报 年份：2000
研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD形成及形状的一对重要因素 ,其...
[期刊论文] 作者：林燕霞，黄大定，张秀兰，刘金平，李建平，高飞，孙殿照，曾一平,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：周宏伟,董建荣,王红梅,曾一平,朱占萍,潘量,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1998
在ＧａＡｓ衬底上ＭＢＥ生长大失配ＩｎＡｓ薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在ＩｎＡｓ薄膜中得到较高的电子迁移率．掺Ｓｉ样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高．且对未掺杂的ＩｎＡｓ薄膜，迁移率在室温附近有一个明显......
[期刊论文] 作者：曾一平,孔梅影,王晓亮,朱世荣,李灵霄,李晋闽,
来源：电子显微学报 年份：1997
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激......
[期刊论文] 作者：曹昕,曾一平,孔梅影,王保强,潘量,张昉昉,朱战萍,
来源：半导体学报 年份：2000
用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的...
[期刊论文] 作者：张一云，徐家云，吴丽萍，曾一平，白立新，刘平,杨志华，夏宜君,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1999
在２．５ＭｅＶ静电加速器上，用７Ｌｉ（ｐ，ｎ）７Ｂｅ和Ｔ（ｐ，ｎ）３Ｈｅ反应作为中子源，用活化法相对于Ａｕ的中子俘获截面，测量了２９～１１００ｋｅＶ能区５９Ｃｏ（ｎ，γ）６０Ｃｏ的反应截面．并将测量结果与现有数据作了比较In a 2.5 MeV electrostatic accelerator, the ne......
[期刊论文] 作者：张福厚,邢建平,史伟,刘东红,郝修田,曾一平,郑海群,
来源：山东电子 年份：1995
采用进口分子束外延设备（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。在理论分析和实验总结的基础上，对材料结构进行了优化，增加了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层来进行缺陷抑制，并在外延时精确地控制生长，这样......
[期刊论文] 作者：袁瑞霞, 阎春辉, 国红熙, 李晓兵, 朱世荣, 曾一平, 李灵,
来源：半导体学报 年份：1996
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[会议论文] 作者：高斐,黄大定,李建平,刘超,孔梅影,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
采用气态SiH源和固态Ge源的国产分子束外延(MBE)系统生长了一个p-SiGe反常调制掺杂结构,变温Hall测量得出在室温下(290K)载流子(孔穴)的迁移率为113cm/Vs;在低温下(61K)载流子(孔穴)的迁移率为5876cm/Vs.对影响载流子(孔穴)的迁移率的因素进行了讨论.......
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