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[期刊论文] 作者：邓宁,潘立阳,刘志宏,朱军,陈培毅,彭力,
来源：半导体学报 年份：2006
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si／SiGe量子点／隧穿氧化层／多晶硅栅多层结构，该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制．模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优......
[期刊论文] 作者：刘志农,熊小义,付玉霞,张伟,陈培毅,钱佩信,
来源：半导体技术 年份：2003
在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准...
[期刊论文] 作者：赵安琪,唐舜莉,黄俊龙,陈培毅,郑金林,,
来源：中国药店 年份：2014
近两年，药店的减肥品类普遍遇冷，多数药店从业者都表示减肥品种销售很疲软。但浙江云开亚美医药科技股份有限公司（奥利司他片的生产企业海正药业的子公司）电子商务营销总监黄慧表......
[期刊论文] 作者：黄文韬, 王吉林, 刘志农, 陈长春, 陈培毅, 钱佩信,,
来源：核技术 年份：2005
研究了1 MeV不同剂量电子辐照前后SiGe异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与Si双极晶体管(BJT)进行了比较.结果表明辐照后SiGe HBT的IB基本不变,IC和β都下降;随电子辐照剂量的...
[期刊论文] 作者：王瑞忠，陈培毅，钱佩信，李永康，周均铭，WANGRuizho,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：1999
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：毛陆虹,郭维廉,陈培毅,牛萍娟,沙亚男,
来源：微电子学 年份：2000
在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发...
[会议论文] 作者：魏榕山,王吉林,熊晨荣,张磊,邓宁,陈培毅,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值.硅基Ge量子点红外探测器更是由于具有对正入射光敏感、...
[期刊论文] 作者：罗广礼,陈培毅,钱佩信,林惠旺,刘理天,
来源：Tsinghua Science and Technology 年份：2000
Epitaxy of SiGe layers by an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition system is investigated. Observations with a Nomarski microscope and measurements using R...
[期刊论文] 作者：邓宁,潘立阳,刘志宏,朱军,陈培毅,彭力,,
来源：半导体学报 年份：2006
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠...
[期刊论文] 作者：赵安琪,唐舜莉,黄俊龙,陈培毅,郑金林,
来源：中国药店 年份：2014
是否能下决心将门店周边的减肥人群聚集过来,是减肥品类营销成败的关键.rn看到“新鲜活动”这四个字,很多人会不屑一顾,药店活动的三板斧(特价、买赠、抽奖)劈了市场十几年,...
[期刊论文] 作者：孟祥提,王吉林,黄强,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2007
比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si...
[期刊论文] 作者：熊晨荣,王民生,黄文韬,陈培毅,王燕,罗广礼,
来源：半导体学报 年份：2003
用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管，常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1．13，Jp(峰值电流)=1．589kA／cm^2，对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=...
[期刊论文] 作者：康爱国,孟祥提,王吉林,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,
来源：半导体技术 年份：2002
比较了经剂量为400 krad(Si)的Y射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化.通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也...
[期刊论文] 作者：李纯静,陈培毅,臧全宜,刘洁心,杨玉慧,黄伟,,
来源：大众健康 年份：2014
好笋知时节,当春乃发生rn春天是万物复苏、生机勃勃的季节,大自然用特有的方式唤醒了土壤中的生命——竹笋.对于竹笋而言,从季节上可分为“冬笋”和“春笋”,其实它们是一家...
[期刊论文] 作者：黄文韬,罗广礼,史进,邓宁,陈培毅,钱佩信,
来源：Tsinghua Science and Technology 年份：2003
High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze t...
[期刊论文] 作者：邓宁,黄文韬,王燕,罗广礼,陈培毅,李志坚,
来源：微纳电子技术 年份：2002
研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点...
[会议论文] 作者：孟祥提,黄强,王吉林,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiG...
[会议论文] 作者：罗广礼,黄文韬,史进,黎晨,陈培毅,钱佩信,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
利用UHV/CVD设备自组织生长了Ge量子点.结果显示生长温度对量子点的尺寸、形状和分布有较大影响.550℃和600℃下生长的Ge量子点呈现为两种典型的尺寸,量子点密度都高于10/cm,...
[期刊论文] 作者：相奇,陈培毅,谭智敏,李志坚,黄綺,周均铭,,
来源：高技术通讯 年份：1993
报道了Si衬底上分子束外延(MBE)生长渐变折射率分别限制异质结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器的实验研究结果。室温下脉冲激射阈值电流约500mA,77K最小脉冲激射阈值电流为20mA...
[会议论文] 作者：陈培毅,黎晨,史进,罗广礼,黄文韬,钱佩信,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文介绍了SiGe HMOSFET器件的研制结果,显示SiGe HMOSFET器件性能明显优于纯硅器件....
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