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[期刊论文] 作者：何国敏,
来源：爆破 年份：1995
本文介绍了大爆破中电起爆网路的电阻平衡设计及施工中应注意的问题，为今后大爆破中同类问题提供理论依据和施工经验。...
[期刊论文] 作者：何国敏, 郭扬,,
来源：工业安全与防尘 年份：2000
本文重点介绍河中重力式大型公路桥的爆破拆除方法，为类似拆除工程提供施工经验。...
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：2000
采用有效质量理论６带模型，研究量子结构变化对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ量子阱和量子线光学性质的影响。计算结果表明量子线结构可以更低的注入电子浓度下，得到更高的光学增益，而且具有光学各向异性。说明......
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,
来源：量子电子学 年份：1996
本文用ＬＭＴＯ能带从头计算方法和局域密度泛函理论，计算了闪锌矿和纤锌矿两种不同结构ＧａＮ晶体的静态性质：平衡晶格常数ａ，体模量Ｂ，体模量的压强微商Ｂ＇和结合能Ｅｃｏｈ。在闪锌矿结构和纤锌矿结构的研究......
[期刊论文] 作者：何国敏,王仁智,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
采用有效质量理论６带模型，计算了应变层超晶格ＧａＮ－ＡｌＮ（００１）的电子结构，具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以及重轻空穴和自旋轨道分裂带相互作用对子带......
[期刊论文] 作者：何国敏,王仁智,
来源：半导体学报 年份：1999
本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了界面应变对ＧａＮ，ＡｌＮ应变层的能带，平均键能Ｅｍ和带阶参数Ｅｍｖ的影响。借助于带阶参数形变势的计算，预言了不同生长厚度情况下ＧａＮ／ＡｌＮ应变层异质结价带带阶......
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
采用ＬＭＴＯ能带从头计算方法，计算了闪锌矿结构ＡＩＮ结构ＡｌＮ和ＧａＮ的静态性质；用平均键能方法，预言了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长，以ＡｌＮ为初底和以ＧａＮ为衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的△Ｅｖ值。......
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1996
用平均键能方法，研究了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长，以ＡｌＮ为衬底和ＧａＮ衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的价带偏移。着重尝试了能带中含浅ｄ态的情况下，用平均键能方法计算异质结的ΔＥｖ值。由于目......
[期刊论文] 作者：何国敏,王仁智,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1998
采用有效质量理论６带模型，研究了电场下应变层量子阱ＡｌＮ／ＧａＮ（００１）的价带子能带结构，具体计算了价带子能级的色散曲线，分析了电场和应变效应对子能带的影响，还计算了不同电场和不同阱宽的空穴子......
[期刊论文] 作者：何国敏,王仁智,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1998
闪锌矿结构ＧａＮ、ＡｌＮ和合金Ｇａ１－ｘＡｌｘＮ光学性质计算何国敏王仁智郑永梅（厦门大学物理学系厦门３６１００５）随着人们对发光二极管和半导体激光器等光电器件的深入研究，工作于蓝紫波段的半导体材料受到普遍的重......
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1996
闪锌矿和纤锌矿结构ＧａＮ静态性质计算何国敏，郑永梅，王仁智（物理学系）ＧａＮ是宽禁带血一Ｖ族化合物半导体，兼有闪锌矿（立方）和纤锌矿（六角）两种结构，它们在短波光电器件（如蓝色、紫色发光二极管和近......
[期刊论文] 作者：吴跃春,何国敏,
来源：新钢管理 年份：2000
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[期刊论文] 作者：何国敏,王仁智,郑永梅,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1998
闪锌矿结构ＧａＮ、ＡｌＮ和合金Ｇａ１－ｘＡｌｘＮ光学性质计算何国敏王仁智郑永梅（厦门大学物理学系厦门３６１００５）随着人们对发光二极管和半导体激光器等光电器件的深入研究，工作于蓝紫波段的半导体材料受到普遍的重......
[期刊论文] 作者：郑永梅,王仁智,何国敏,
来源：物理学报 年份：1996
在异质结能带排列的理论计算中，采用经验赝势能带计算方法，并将平均键能Ｅｍ作为参考能级，计算了ＧａＡｓ／Ｇｅ，ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ／Ｇｅ三种异质结的整体能带结构和排序（包括价带、导带和带隙），获得完整且较准确的理论计算......
[期刊论文] 作者：何国敏,王仁智,郑永梅,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1998
采用有效质量理论６带模型，研究了电场下应变层量子阱ＡｌＮ／ＧａＮ（００１）的价带子能带结构．具体计算了价带子能级的色散曲线，分析了电场和应变效应对子能带的影响．还计算了不同电场和不同阱宽的空穴子......
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,王仁智,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1996
闪锌矿和纤锌矿结构ＧａＮ静态性质计算何国敏，郑永梅，王仁智（物理学系）ＧａＮ是宽禁带血一Ｖ族化合物半导体，兼有闪锌矿（立方）和纤锌矿（六角）两种结构，它们在短波光电器件（如蓝色、紫色发光二极管和近......
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,王仁智,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
采用LMTO能带从头计算方法，计算了闪锌矿（立方）结构AIN和GaN的静态性质；用平均键能方法，预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN／GaN应变层......
[期刊论文] 作者：何国敏,王仁智,郑永梅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
采用有效质量理论６带模型，计算了应变层超晶格ＧａＮＡｌＮ（００１）的电子结构，具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以及重轻空穴和自旋轨道分裂带相互作用对子......
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,王仁智,
来源：量子电子学 年份：1996
本文用ＬＭＴＯ能带从头计算方法和局域密度泛函理论，计算了闪锌矿和纤锌矿两种不同结构ＧａＮ晶体的静态性质：平衡晶格常数ａ，体模量Ｂ，体模量的压强微商Ｂ＇和结合能Ｅｃｏｈ。在闪锌矿结构和纤锌矿结构的研究......
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,王仁智,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1996
用平均键能方法，研究了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长、以ＡｌＮ为衬底和以ＧａＮ为衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的价带偏移．着重尝试了能带中含浅ｄ态的情况下，用平均键能方法计算异质结的△Ｅｖ值．由于......
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