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[期刊论文] 作者：王海云,刘红艳,徐岳生,刘彩池,,
来源：现代仪器 年份：2007
本文采用X射线衍射仪（XRD）,通过异常透射对半绝缘砷化镓（SI-GaAs）的形貌及缺陷进行研究。在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的...
[期刊论文] 作者：赵彦桥,刘彩池,郝秋艳,孙卫忠,
来源：半导体学报 年份：2007
利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见....
[期刊论文] 作者：王立建,刘彩池,孙海知,郝秋艳,
来源：光电子．激光 年份：2007
采用酸腐多晶Si片的方法，获得了各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液，并用H3PO4进行改良。分别利用扫描电镜（SEM）和光谱响应系统，分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和......
[期刊论文] 作者：张帷,郝秋艳,景微娜,刘彩池,冯玉春,
来源：半导体学报 年份：2007
在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延...
[会议论文] 作者：景微娜,郝秋艳,解新建,刘彩池,冯玉春,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
在各种GaN生长技术中,MOCVD法是目前使用较多、外延质量较高的一种外延方法。本文研究了一种衬底处理技术对MOCVD外延生长GaN薄膜中应力的影响。本实验在外延生长前用磷酸对...
[会议论文] 作者：陈玉武,郝秋艳,赵建国,吴丹,王勇,刘彩池,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法，研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明：原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时，位错尺寸很大，但位错密度较小；随着退火温度的......
[期刊论文] 作者：滕晓云,刘彩池,郝秋艳,张丽,许贺菊,于威,,
来源：光电子.激光 年份：2007
采用脉冲激光沉积（PLD）法在Al2O3（0002）衬底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、霍尔电导测量和透射光谱等表征技术研究了工作O2压对ZnO薄膜......
[期刊论文] 作者：赵彦桥，刘彩池，郝秋艳，孙卫忠，ZhaoYanqiao，LiuCaichi，HaoQiuyan，SunWeizhong,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：滕晓云,刘彩池,郝秋艳,许贺菊,于威,傅广生,,
来源：稀有金属 年份：2007
采用脉冲激光沉积法在Si(111)基片上制备了ZnO薄膜。利用X射线衍射、光致发光、扫描电子显微镜等表征技术研究了工作氧压对ZnO薄膜的结晶特性和光学性能的影响。研究结果表明...
[期刊论文] 作者：张帷，郝秋艳，景微娜，刘彩池，冯玉春，ZhangWei，HaoQiuyan，JingWeina，LiuCaichi，FengYuchun,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：景微娜[1]郝秋艳[2]解新建[2]刘彩池[2]冯玉春[3],
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
在各种GaN生长技术中,MOCVD法是目前使用较多、外延质量较高的一种外延方法。本文研究了一种衬底处理技术对MOCVD外延生长GaN薄膜中应力的影响。本实验在外延生长前用磷酸对...
[期刊论文] 作者：滕晓云，刘彩池，郝秋艳，许贺菊，于威，傅广生，TengXiaoyun，LiuCaichi，HaoQiuyan，XuHeju，YuWei，FuGuangsheng,
来源：稀有金属 年份：2007
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