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期刊论文
大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷
大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:danNyZ
【摘 要】
:
利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.
【作 者】
:
赵彦桥
刘彩池
郝秋艳
孙卫忠
【机 构】
:
河北工业大学信息功能材料研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2007年z1期
【关键词】
:
SI-GAAS
化学腐蚀法
位错
微缺陷
【基金项目】
:
国家自然科学基金(批准号:60276009)和河北工业大学博士科研启动基金资助项且
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利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.
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