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[期刊论文] 作者:李, 晨,, 来源:生产力研究 年份:2011
青岛市是山东半岛城市群核心城市,以青岛市1995—2009年统计数据为样本,对该市工业化率与城镇化率进行了多元回归与VAR分析。结果显示:在此期间,青岛市工业化率与城镇化率成...
[期刊论文] 作者:向国,,, 来源:中国农村水利水电 年份:2011
借鉴高墩大跨连续刚构桥梁的特点和建设经验,提出利用高墩大跨连续刚构渡槽跨越深山大峡谷区。结合渡槽输水和结构要求,改进适用于渡槽的连续刚构结构方案。针对黔中水利枢纽...
[期刊论文] 作者:李,晨, 来源:生产力研究 年份:2011
青岛市是山东半岛城市群核心城市,以青岛市1995-2009年统计数据为样本,对该市工业化率与城镇化率进行了多元回归与VAR分析。结果显示:在此期间,青岛市工业化率与城镇化率成正相关......
[期刊论文] 作者:,朱洪, 来源:魅力中国 年份:2011
郝懿行是著名的经学家、训诂学家,他把毕生精力贡献于祖国文化事业,同时他的《燕子春秋》具有较高的生物学和物候学价值。...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
Wii的成功让任天堂一度成为日本最大市值企业,iPhone和iPad的成功则将苹果推上全球市值最大企业的神坛,而促成这三个划时代产品其中关键用户体验的有个共同的硬件就是传感器...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
中国台湾国立台湾大学与TSMC 16日共同发表产学合作成果,成功研发出全球第一颗以40纳米制程制作的自由视角3D电视机顶盒芯片,可望较现行技术提供更精致、多元的视讯影像体验...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
欧洲研究机构IMEC与其合作伙伴最近成功在200 mm规格硅衬底上制造出了高质量的GaN/AlGaN异质结构层,双方目前正合作研究基于氮化镓材料的HEMT(High electron mobility transi...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
Maxim推出专为UHF和VHF移动电视应用设计的低噪声放大器(LNA)MAX2664/MAX2665。器件采用0.86 mm×0.86 mm、焊球间距为0.4 mm的4引脚晶片级封装(WLP),可提供完全集成的LNA方...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
TriQuint半导体公司日前宣布了一项新的晶圆代工工艺,新工艺将使具有成本效益的毫米波应用成为可能。称为TQP15的150 mm砷化镓(GaAs)代工生产工艺专门针对Ka波段,有助于经济...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
赛灵思公司(Xilinx)宣布推出堆叠硅片互联技术,即通过在单个封装中集成多个FPGA芯片,实现突破性的容量、带宽和功耗优势,以满足那些需要高密度晶体管和逻辑,以及需要高处理能...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
据iSuppli公司,经过多年的发展之后,中国的射频识别(RFID)半导体市场未来几年将突飞猛进,达到巨大的规模,2009-2014年销售额将增长一倍以上。预计2010年中国RFID市场将增长到...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
受到主要供应大厂2011年都将有新产能陆续开出影响,加上近期适逢产业传统淡季,去年报价涨势凌厉的蓝宝石基板,今年首季已出现涨势停滞情况。市场预期,大约自今年第二季起,蓝...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
据悉,近期四川晶都新能源科技有限公司第一条生产线拉制的首根6.5英寸单晶硅棒出炉。该单晶硅棒长1.4米,重78公斤,成品率82%。晶都新能源副总经理、总工程师对当地媒体表示,...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
宜普电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的最新成员EPC2010,具更卓越性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS(有害物质限制)指令。EPC2010 FET是一款...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
SEMI(国际半导体设备和材料协会)日前发表一份名为SEMI’s worldFabForecast的报告称,2010~2011年2年内世界半导体业将共投资830亿美元,计划建设150多条生产线,涵盖大/小产能...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
日本地震与海啸可能导致包括NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、液晶显示器(LCD)面板、LCD元件和材料在内的七种电子元件严重短缺,并进而推动这些元件的价格大幅上涨。日...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60 V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新款双芯片20 V P沟道第三代TrenchFET~(?)功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2 mm×2 mm占位面积的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,...
[期刊论文] 作者:,, 来源:半导体信息 年份:2011
Tabula,MorethanIP,NetLogic Microsystems三家公司联合研发出堪称业界首款可编程的100G以太网芯片,其造价低于500美元。据悉,该可编程1 00G以太网芯片集合了Tabula公司的I-1...
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