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[期刊论文] 作者：李玉璞,章其初,刘家瑞,
来源：真空科学与技术 年份：1988
一、引言卢瑟福背散射分析方法(RBS)是一种无损快速的表面(10(?)～10nm)分析技术。它能给出以下几方面的信息:1.表面薄层的厚度及元素组成;2.元素的含量,3.元素的深度分布剖面...
[期刊论文] 作者：李玉璞,陈坚,刘家瑞,章其初,
来源：原子与分子物理学报 年份：1989
本文在77至573K温区研究了Ar+诱导的Au-Si【111】界面的原子混合现象。温度对混合结果有强烈的影响。Q（S）i—T曲线的特征与Cr-Si等体系是不...
[期刊论文] 作者：李玉璞,陈坚,刘家瑞,章其初,
来源：材料科学进展 年份：1988
Au-Si 系统是一种典型的共晶体系。B.X.Liu 等通过对 Au 与 Si 迭层膜的研究得到多种组分比和相结构的 Au 与 Si 的混合层~([1]);S.S.Lau 等通过对 Au 膜-Si 衬底样品的研究...
[期刊论文] 作者：夏日源,郑宗爽,章其初,朱沛然,刘家瑞,
来源：半导体学报 年份：1988
采用共振能 E_R=872.1 keV,宽度 Γ=4.2 keV的~(19)F(P,αγ)~(16)O共振核反应测定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si衬底中氟的深度分布.用参考函数和参数优选法...
[期刊论文] 作者：殷士端,张敬平,顾诠,许振嘉,刘家瑞,章其初,李大万,
来源：半导体学报 年份：1987
用高分辨的背散射-沟道效应测量了180及 350keV Zn注入 Si中的辐射损伤.注入剂量在1× 10~(15)-1× 10~(17)/cm~2范围内.实验表明,非晶层和单晶的界面深度 x_(A-C)随剂量(?)...
[期刊论文] 作者：殷士端,张敬平,顾诠,许振嘉,刘家瑞,章其初,李大万,
来源：半导体学报 年份：1987
用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格...
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