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[期刊论文] 作者：杨立杰,李拂晓,蒋幼泉,陈新宇,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti／Pt／Au和Cr／Pt／Au多层金属作为欧姆接触金属，并对比合金前后的差别。结果表明，使用Ti／Pt／Au作为欧姆接触金属效果更好，合金对......
[会议论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,李哲洋,蒋幼泉,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,李哲洋,张涛,汪浩,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导...
[期刊论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET...
[期刊论文] 作者：陈新宇,冯欧,蒋幼泉,许正荣,黄子乾,李拂晓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长......
[期刊论文] 作者：焦世龙,叶玉堂,陈堂胜,冯欧,蒋幼泉,范超,李拂晓,
来源：半导体学报 年份：2007
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源共栅电流模跨阻抗前置放大器（TIA）．测量得到放大器-3dB带宽为7．5GHz，跨阻增益为45dBQ；输入输出电压驻波比（VSWR）均小于2；等效输入噪声电流谱......
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,蒋幼泉,钱峰,李拂晓,邵凯,叶玉堂,,
来源：电子学报 年份：2007
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围内,输入、输出电压驻波比（VSWR）均小于2;带内噪...
[期刊论文] 作者：焦世龙,叶玉堂,陈堂胜,冯欧,蒋幼泉,范超,李拂晓,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用0·5μmGaAsPHEMT工艺研制了一种单电源共栅电流模跨阻抗前置放大器(TIA).测量得到放大器-3dB带宽为7·5GHz,跨阻增益为45dBΩ;输入输出电压驻波比(VSWR)均小于2;等效输...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,张涛,李哲洋,汪浩,蒋幼泉,韩春林,陈辰,
来源：半导体学报 年份：2007
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究．通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化，研制出高性能的SiCMESFET．利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,张涛,李哲洋,汪浩,蒋幼泉,韩春林,陈辰,,
来源：半导体学报 年份：2007
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiCMESFET.利用1mm栅宽SiCMESFET制成的微波功率放大器...
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,钱峰,冯欧,蒋幼泉,李拂晓,邵凯,叶玉堂,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端，它包括金属-半导体-金属（MSM）光探测器和分布放大器．探测器光敏面积为50μm×50μm，电容为0．17pF，4V偏压下的...
[期刊论文] 作者：柏松，陈刚，李哲洋，张涛，汪浩，蒋幼泉，BaiSong，ChenGang，LiZheyang，ZhangTao，WangHao，JiangYouquan,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：陈刚，柏松，张涛，汪浩，李哲洋，蒋幼泉，ChenGang，BaiSong，ZhangTao，WangHao，LiZheyang，JiangYouquan,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：冯欧,冯忠,杨立杰,焦世龙,蒋幼泉,陈堂胜,李拂晓,叶玉堂,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路，包括金属一半导体一金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm^2，电容小于0．1...
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