搜索筛选:
搜索耗时0.7124秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 19 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：郑一阳,,
来源：电气传动 年份：1991
用无接触测量电流的霍尔电流传感器在电力系统中已部分代替了原来的互感器而得到广泛的应用。本文简要介绍了这种传感器的工作原理及两种工作模式,指出它的优点,着重说明在交...
[期刊论文] 作者：郑一阳,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了一种新的半导体体效应器件－－体等离子体器件，它是由很薄的高纯GaAs层构成（1－2μm)，在强电场（大于200kV/cm）下产生雪崩击穿，形成一个由电子和空穴组成的等离子体，这一等离子体有较......
[期刊论文] 作者：郑一阳,
来源：半导体学报 年份：2002
讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度。GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离，但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿，在合适的有源区...
[期刊论文] 作者：郑一阳,
来源：半导体学报 年份：1989
本文用计算机模拟分析了GaAs Hall器件的工作原理,当体内出现静止畴并扩展到Hall器件的电压端时,器件输出阻抗增加,Hall器件的灵敏度相应提高一个数量级;获得高灵敏度的静止...
[期刊论文] 作者：郑一阳,
来源：电子产品世界 年份：1999
本文报导了砷化镓材料制作的Ｚ元件，观察到Ｓ型负阻及相应的振荡波形，重点解决了Ｓ型负阻产生的原因及振荡机理，理论分析与实验相符。...
[会议论文] 作者：郑一阳,
来源：第二届中国交流电机调速传动学术会议 年份：1991
...
[会议论文] 作者：郑一阳,
来源：第七届全国电气自动化、电控系统年会 年份：1994
...
[会议论文] 作者：郑一阳,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第四次全国学术会议 年份：1990
...
[期刊论文] 作者：郑一阳,
来源：半导体学报 年份：1989
本文用计算机模拟分析了GaAs Hall器件的工作原理,当体内出现静止畴并扩展到Hall器件的电压端时,器件输出阻抗增加,Hall器件的灵敏度相应提高一个数量级;获得高灵敏度的静止...
[期刊论文] 作者：郑一阳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
本文讨论了在转移电子器件中静止畴的四种模式的形成原因、特点及共稳定性。这四种静止畴的模式是:1.畴从阴极产生,向阳极渡越,然后静止在阳极的阴极触发静止畴;2.畴直接也阳...
[期刊论文] 作者：郑一阳,
来源：半导体学报 年份：1985
本文讨论了GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场分布,指出掺杂浓度、有源区长度、扩散系数及外加偏压对电场分布的影响,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式...
[期刊论文] 作者：郑一阳,
来源：半导体学报 年份：1985
本文首先讨论了GaAs体效应器件中不同阴极凹槽掺杂分布对畴状态的影响,指出当凹槽深度较深时能形成在凹槽处生长然后静止的畴模式,讨论了这类畴的生长过程及其特点,并与通常...
[期刊论文] 作者：郑一阳,
来源：半导体学报 年份：1985
本文通过实验测量了GaAs体效应器件的畴雪崩击穿电压及相应的光发射,并进行了器件的烧毁实验,比较了阴极深几何凹槽和一般的Gunn器件之间的区别,从而说明这一模式的存在.In...
[期刊论文] 作者：李岐旺,卫薇,郑一阳,
来源：仪表技术与传感器 年份：1991
本文介绍了该所研制的霍尔电流传感器的基本工作原理,主要性能和使用情况。...
[会议论文] 作者：郑一阳,卫薇,刘增敏,
来源：第一届中国交流电机调速传动学术会议 年份：1989
...
[期刊论文] 作者：郑一阳,张进昌,刘衍,
来源：半导体学报 年份：1985
本文讨论了用GaAs液相和汽相材料制备的Hall器件.在内阻为1kΩ时得到的灵敏度为30mV/mA·kG,温度系数为0.01％/℃,并可工作在-50-+250℃的温区.还讨论了掺Cr高阻衬底、外延层质...
[期刊论文] 作者：王守武,郑一阳,刘朝中,
来源：中国科学 年份：1975
为了寻找一个高效率的固体振荡器,我们研究了Gunn二极管中的雪崩弛豫振荡。本文描述有源区比较短的平面Gunn器件,在数倍于阚值的强场下工作时出现的雪崩弛豫振荡,这种振荡现象归结于畴雪崩后的电子空穴对的周期性出现和消失。它的振幅可以比Gunn振荡大得多,而频......
[期刊论文] 作者：王守武,郑一阳,郗小林,张进昌,
来源：半导体学报 年份：1983
本文讨论在GaAs n~+-n-n~+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会...
[期刊论文] 作者：王守武,郑一阳,郗小林,潘国雄,张进昌,
来源：半导体学报 年份：1983
本文研究具有几何扩展结构的平面Gunn器件.实验上观察到静止畴的形成以及当外加电压升高时转变为渡越畴的现象,用计算机模拟研究也得到了上述过程.根据计算结果,讨论了影响静...
相关搜索：
