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[期刊论文] 作者：邓国义,方芳,
来源：中国临床医生 年份：2004
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[期刊论文] 作者：邓义,
来源：科技致富向导 年份：2004
随着我国当前科技信息技术的快速发展，计算机普遍应用于各家各户。在计算机的应用过程中，不乏出现一些不法分子利用计算机网络实施犯罪违法行为，因此，网络安全防范应受到重视。本......
[期刊论文] 作者：滕永义,邓秀国,
来源：中学政治教学参考 年份：2004
文科综合能力测试强调考查学生文科各学科知识的整体把握、综合分析问题、解决问题的思维能力。考试既反映各学科知识之间的系统联系,又表现注重学生思考、知识迁移、多层次...
[期刊论文] 作者：国义,
来源：世界机电经贸信息 年份：2004
对轻型资本设备和服务出口的短期信贷保险Coface 对付款期不超过3年的轻型资本设备和服务出口提供3种保险单:1.Equipex 保险单,承保与OECD 成员国客户签定的出口合同。Equip...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
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[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
讨论了汞注入碲镉汞光电二极管的频率响应。本分析鉴定了对快速激光脉冲的响应和二极管散粒噪声频谱的3分贝下降,说明了在考虑注入层表面电阻时,需采用一分布参数等效电路模...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
热成象系统性能的估算,由于需要计算普朗克辐射函数的温度导数的积分而变得复杂了。当系统采用光子探测器时,可用资料提供的近似求解法,以在辐射计算尺算出的函数求此积分值...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
在n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te上已成功地制备了电极长10微米的8位CCD移位寄存器,这种器件在77至140K之间工作。在77K、1至100千赫时钟频率四相工作的条件下,得到了0.996电荷转移...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
采用液相外延技术,在CdTe衬底上连续生长P-和n-型外延层,制成了高性能的HgCdTe光电二极管。对Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te(λ_(co)=4.0微米,200K)而言,这种二极管在高温下具有高的...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
用液相外延技术成功地生长了波长为1.33微米的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层,制备并测量这种材料的光电二极管,对异质结的分析表明:在室温下,正向偏压的结电流主要是产生-复合机理形...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
n型Hg_(1-x)Cd_xTe光电导体的铟触点若用银浆连接金导线,触点在导电时便有很大的噪声。在任何情况下,把触点作为阴极时,有噪声的触点把电子注入样品;在触点最差的情况下若将...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
测量了n型Hg_(0.61)Cd_(0.39)Te光电导样品的相邻触点a-6和b-c之间的闪烁噪声,触点a和b之间的区域没有晶粒间界,而触点a和c之间的区域有一个晶粒间界。按触点a-b和b-c之间的...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
本报告叙述在174K工作的10.6微米碲镉汞温差电制冷光电二极管组件的研制,本方案的目的在于论证5×10~(-4)厘米~2面积的器件在170K工作时具有20％量子效率、50兆赫带宽和1毫安反...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
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[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
本书是美国密执安大学1981年夏季工程会议关于先进红外技术的短期讲座文集。这种讲座每年举办一次,其内容每年都有所不同,1981年度的讲座主要讲述红外和光学系统。所论述的...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
美国摄影光学仪表工程师学会(Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers,简称SPIE)的专业内容包括光学、电子光学、激光、红外、光学仪器等技术。每年召开一次专...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
本文介绍一种碲镉汞/硅混合阵列,它是采用金属氧化物半导体(MOS)开关完成多路传输的新型器件,下面将表明这种器件能实现电子扫描阵列所希望得到的许多优点,而避免电荷传输器...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
首次制成了背面照射的高性能光电二极管,它采用液相外延的锑砷铟-砷铟异质结,在77 K时,改变其组分,能使峰值波长从3.1微米调到7微米以上。己得到窄至1760埃的半宽光谱响应(4...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
一、引言目前用引上法生长半导体晶体,其直径控制往往是靠熟练的操作,他们连续进行小规模地调节以达到半导体熔化温度。这种调节影响了处在固-液界面的半导体熔料结晶速率,...
[期刊论文] 作者：国义,,
来源：激光与红外 年份：2004
本文报导了硫化铅光导绝缘栅场效应晶体管的实验结果。它采用栅电极实现探测度的调制。加上一个负的栅电势便可耗尽n型PbS薄膜载流子,探测度提高200倍,而噪声则不变。在180°...
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