搜索筛选:
搜索耗时0.8232秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 130 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：裴为华,陈弘达,邓晖,毛陆虹,杜云,唐君,梁琨,吴荣汉,王启,
来源：光电子．激光 年份：2003
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵.器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,周增圻,林耀望,潘钟,黄永箴,李朝勇,牛智川,王圩,
来源：高技术通讯 年份：1995
报道了ＩｎＧａＡｓ应变量子讲垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的室温连续工作。在ＭＢＥ生长过程中利用红外高温仪测量了表观衬底热辐射振荡，实现了原位厚度监测；采用阶梯型分布布拉格反射器（ＤＢＲ）及腐蚀倒台面结构......
[期刊论文] 作者：裴为华,陈弘达,邓晖,毛陆虹,杜云,唐君,梁琨,吴荣汉,王启明,
来源：光电子·激光 年份：2003
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作...
[期刊论文] 作者：邓晖,陈弘达,梁琨,杜云,唐君,黄永箴,潘钟,马骁宇,吴荣汉,
来源：光电子·激光 年份：2004
本文分析计算了InGaAs／GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为，对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析，用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料，并且对器件的反射谱和光电流...
[期刊论文] 作者：徐晓华,牛智川,倪海桥,徐应强,张纬,贺正宏,韩勤,吴荣汉,,
来源：物理学报 年份：2004
报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰...
[期刊论文] 作者：邓晖,陈弘达,梁琨,杜云,唐君,黄永箴,潘钟,马晓宇,吴荣汉,
来源：城市道桥与防洪 年份：2001
讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs／GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响．采用InGaAs／GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长．设计和分析了InGaAs／GaAs多量子阱SE...
[期刊论文] 作者：张权生,吕卉,杜云,马朝华,吴荣汉,高洪海,高文智,芦秀玲,
来源：半导体学报 年份：1993
在InP H~+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H~+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J...
[期刊论文] 作者：周革,张以谟,井文才,华锋,陈炫,陈弘达,吴荣汉,陈志标,张益,
来源：高技术通讯 年份：1997
提出了一种波长路由并行光互连技术，其路由直接在源端用目标地址选择波长来建立，各波长有独立传输路径并采用光通道复用，路由变换节点为全光结构，光信号在变换节点处无转发延迟。......
[期刊论文] 作者：颜学进,张权生,石志文,杜云,祝亚芹,罗丽萍,朱家廉,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1997
本文报道了用反应离子刻蚀与晶向湿法化学腐蚀相结合沿ＩｎＰ衬底方向获得工作波长１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光器的腔面的方法。...
[期刊论文] 作者：王海嵩,杜国同,崔宏峰,许呈栋,宋俊峰,杜云,陈弘达,吴荣汉,
来源：中国激光 年份：2004
采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW....
[期刊论文] 作者：毛陆虹,陈弘达,吴荣汉,唐君,梁琨,粘华,郭维廉,李树荣,吴霞宛,
来源：半导体学报 年份：2002
用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 ....
[期刊论文] 作者：李长英,忽满利,王胜远,韩雁勤,徐大纶,程昭,吴荣汉,张权生,
来源：激光杂志 年份：1995
４０８自锁高速双光子开关的研究李长英，忽满利，王胜远，韩雁勤（西北大学物理系统激光教研室，西安７１００６９）徐大纶，程昭，吴荣汉，张权生（中科院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室）基于对ＣＣＴＳ光双稳逻辑功......
[期刊论文] 作者：吴荣汉,陈志标,陈弘达,高文智,曹明翠,万安君,刘中林,李洪谱,
来源：中国激光 年份：1998
制作了光互连用８×８多量子阱空间光调制器，测量了其耐压特性、模式均匀性、对比度和插入损耗等。使用Ｄａｍｍａｎｎ光栅分束器将半导体激光束分成等光强的６４路并将其照射到多量子阱空间光调制器......
[期刊论文] 作者：李长英,忽满利,王胜远,韩雁勤,徐大纶,程昭,吴荣汉,张权生,
来源：光学学报 年份：1996
从速率方程出发对双区共腔（ｃｏｍｍｏｎ－ｃａｖｉｔｙｔｗｏｓｅｃｔｉｏｎ简称ＣＣＴＳ）光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算，并对其稳态特性进行了实验研究和测试，得出了定量和定性的分析结果，同时还首次发现当激光输出高态时又出......
[期刊论文] 作者：陈弘达,曾庆明,李献杰,陈志标,杜云,周革,华锋,黄永箴,吴荣汉,
来源：光电子·激光 年份：2000
我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子...
[期刊论文] 作者：李国华,方再利,丁琨,韩和相,曾美思,王建农,葛惟锟,潘钟,李联合,吴荣汉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发...
[期刊论文] 作者：钟战天,周小川,杜全钢,李承芳,周鼎新,王森,吴荣汉,於美云,徐俊英,蒋健,
来源：半导体学报 年份：1992
探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为7...
[期刊论文] 作者：颜学进,张权生,石志文,杜云,祝亚芹,罗丽萍,朱家廉,吴荣汉,王启明,
来源：半导体学报 年份：1997
本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面的方法．用CH4：H2：Ar2的混合物作干法刻蚀的反应......
[期刊论文] 作者：陈弘达，梁琨，曾庆明，李献杰，陈志标，杜云，吴荣汉，CHENHong-da，LIANGKun，ZENGQing-ming，LIXian-jie，CHENZhi-biao，DUYun，WURong-han,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：张瑞康,杨晓红,周震,徐应强,张玮,杜云,黄永清,任晓敏,牛智川,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2003
利用 Ga As/Al Ga As分布反馈 Bragg反射镜在 Ga As衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器 .该器件在 7V调谐电压下调谐范围达 2 8nm.A GaAs / AlGaAs distributed feedback...
相关搜索：
