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[期刊论文] 作者：周鸿仁,
来源：传感器技术 年份：1986
本文根据现有国内外期刊资料,综合薄膜温度传感器的研制生产状态和发展动向,认为按其固有特点、优势,它有较强的竞争力。从它的结构和工艺来看,有如下特点:热响应速度快,电阻...
[期刊论文] 作者：刘秀蓉,周鸿仁,
来源：电子科技大学学报 年份：1990
介绍一种新型的温度传感器——镍膜热敏电阻。该传感器的优良特性已为人们所关注。本文着重探讨镍膜热敏电阻的制作工艺条件对其性能的影响。同时介绍了作者研制的镍膜热电阻...
[期刊论文] 作者：周鸿仁,刘秀蓉,
来源：世界电子元器件 年份：1999
快速测温在工农业生产、航天、环保、国防和科研中应用普遍,例如测量汽车发动机吸入空气的温度,要求热响应时间小于1s;环境温度测量,要求10～0.2s;深海水中温度测量要求10...
[期刊论文] 作者：周鸿仁,刘秀蓉,
来源：电子科技大学学报 年份：1997
根据薄膜理论和通过成膜工艺实验，研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。１）对铂靶材料的纯度要求高，含杂持极少；２）淀积薄膜要有一定厚度，通常近于１μｍ才能有较大的α；３）成膜以后，需经过......
[期刊论文] 作者：周鸿仁,刘秀蓉,
来源：传感器技术 年份：1989
镍薄膜电阻器是近年来开发研究的新型测温元件。70年代末,日本报导了圆柱状镍膜测温电阻;1985年,联邦德国的Saufer-Cuinulus公司研制出其电阻温度系数等特性达到该国标...
[期刊论文] 作者：周鸿仁,刘秀蓉,
来源：四川真空 年份：1990
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[期刊论文] 作者：周鸿仁,恽正中,
来源：电子元件与材料 年份：1987
本文简介作为温度传感器用铂金属薄膜电阻的结构、特点和应用,指明它的优异性能:热响应速度快、线性好、稳定性高、精度高、工作温度范围宽、体积小等。同时也报导了国内外铂...
[期刊论文] 作者：刘秀蓉,周鸿仁,恽正中,
来源：电子科技大学学报 年份：1990
介绍一种新型的温度传感器——镍膜热敏电阻。该传感器的优良特性已为人们所关注。本文着重探讨镍膜热敏电阻的制作工艺条件对其性能的影响。同时介绍了作者研制的镍膜热电阻...
[期刊论文] 作者：周鸿仁,刘秀蓉,恽正中,
来源：传感器技术 年份：1989
镍薄膜电阻器是近年来开发研究的新型测温元件。70年代末,日本报导了圆柱状镍膜测温电阻;1985年,联邦德国的Saufer-Cuinulus公司研制出其电阻温度系数等特性达到该国标准的...
[期刊论文] 作者：周鸿仁, 刘秀蓉, 徐蓓娜,,
来源：电子科技大学学报 年份：1997
根据薄膜理论和通过成膜工艺实验，研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。１）对铂靶材料的纯度要求高，含杂质极少；２）淀积薄膜要有一定厚度，通常近于１μｍ才能有较大的α；３）成膜以后，需经过......
[期刊论文] 作者：杜晓松,杨邦朝,周鸿仁,
来源：功能材料 年份：2002
PVDF（聚偏氟乙烯）及其共聚物压电计具有响应快、灵敏度高、测压范围宽等特点，是一种理想的冲击压力传感器。用它制作超高压力传感器的关键是必须解决传感器的一致性问题。本文对......
[期刊论文] 作者：施尚春,董石,黄跃,周鸿仁,
来源：高压物理学报 年份：2001
用磁控溅射低温沉积镀膜技术制做锰铜薄膜,能够保持薄膜中锰、铜、镍成份的相对稳定和锰铜合金正六面三元固溶体金相结构的特性.但是,锰铜镀膜的结晶晶粒度与工业生产的锰铜...
[期刊论文] 作者：杜晓松,杨邦朝,周鸿仁,段建华,
来源：仪器仪表学报 年份：2002
采用溅射技术,对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤±10×10-6/℃的锰铜薄膜.该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础,同时也可用于制作锰...
[期刊论文] 作者：杨邦朝,滕林,杜晓松,周鸿仁,
来源：电子元件与材料 年份：2004
为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形貌,动态加载实验标定了锰铜薄膜的压阻系数....
[期刊论文] 作者：滕林,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,
来源：真空科学与技术学报 年份：2004
使用直流磁控溅射的方法在聚酰亚胺上制备镱薄膜,XRD分析薄膜的晶体结构,SEM表征薄膜的形貌,利用一级轻气炮进行了1.5 GPa～2.5 GPa的冲击加载压阻测试.研究结果表明,压阻系数...
[期刊论文] 作者：段建华,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,
来源：传感器技术 年份：2003
通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器.采用熔融石英材料作为绝缘基板.在绝缘基板上沉积锰铜敏感...
[期刊论文] 作者：崔红玲,杨邦朝,杜晓松,滕林,周鸿仁,
来源：电子元件与材料 年份：2004
为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层.采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成...
[期刊论文] 作者：崔红玲,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,滕林,,
来源：功能材料 年份：2005
箔式锰铜传感器主要应用于动高压的测试中,现有的箔式锰铜传感器采用有机物作为绝缘层,其测压上限为40GPa.而采用绝缘封装层为A12O3薄膜的箔式传感器,可拓宽其测压上限.动高...
[期刊论文] 作者：崔红玲,杨邦朝,杜小松,滕林,周鸿仁,
来源：电子元件与材料 年份：2004
以Al2O3薄膜为例,介绍了用电子束蒸发制备介质薄膜的工艺.研究了不同退火条件下Al2O3薄膜的电性能,优化出最佳的热处理条件为400℃、氧气气氛中,热处理3 h.并对制得的Al2O3薄...
[期刊论文] 作者：崔红玲,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,滕林,
来源：材料导报 年份：2005
为了提高锰铜超高压力传感器的测压上限，须采用超高压力下绝缘性能好的无机材料作为绝缘封装层。用Al2O3薄膜作箔式锰铜超高压力传感器的绝缘层，代替现有箔式锰铜计中所使用的......
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