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[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,孙同年,杨瑞霞,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然...
[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,陈秉克,孙同年,
来源：第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 年份：2005
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉式技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉式技术(VCZ/PC-LEC)垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方...
[会议论文] 作者：孙聂枫,杨瑞霞,周晓龙,孙同年,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm的大直径磷化铟单晶。本文讨论了关于......
[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,孙同年,杨瑞霞,张伟玉,
来源：2006中国科协年会 年份：2006
随着InP基光电器件、微电子器件的不断成熟和市场不断增长的需求，要求衬底成本要有效的降低.生长＜100＞晶向较长磷化铟单晶的技术已成为磷化铟晶片大批量生产必须解决的关键技术.本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素......
[会议论文] 作者：周晓龙,杨克武,杨瑞霞,孙聂枫,孙同年,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
基于目前对大尺寸InP单晶片的应用和需求,介绍了正在使用的封闭式热场结构,阐述了利用LEC(液封直拉)法在InP体材料生长过程中影响成晶率的一些关键因素,如温度梯度和热对流等,分析了有利于晶体生长的条件,对加热器、保温系统和单晶炉系统参数配置等进行了有利于......
[会议论文] 作者：孙聂枫,毛陆虹,郭维廉,周晓龙,孙同年,杨瑞霞,张伟玉,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然...
[会议论文] 作者：孙聂枫,毛陆虹,郭维廉,周晓龙,杨瑞霞,张伟玉,孙同年,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50 mm,长190 mm,直径80-100 mm,长150 mm的半绝缘......
[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,陈秉克,杨光耀,付建德,赵彦军,杨克武,孙同年,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
磷化铟(InP)是一种重要的半导体材料.本工作用一种快速直接磷注入合成和高压液封直拉晶体生长方法制备InP多晶.用这种方法可以在60—70分钟内合成3800克InP并生长在2—4英寸I...
[会议论文] 作者：王阳,杨瑞霞,杨帆,刘志国,李晓岚,康永,张鑫,李宁,孙同年,孙,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器件及应 年份：2012
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[会议论文] 作者：周晓龙,孙聂枫,赵彦军,杨克武,杨光耀,谢德良,刘二海,孙同年,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究,改进工艺,提高单晶质量打......
[会议论文] 作者：王阳,孙聂枫,杨瑞霞,杨帆,刘志国,李晓岚,康永,张鑫,李宁,孙同年,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2012
InP具有高电光转换效率、强抗辐射能力、易于制成半绝缘材料、作为太阳能电池材料的转换效率高等优点.这些特性决定InP材料在固态发光、微波通信、光纤通信、卫星等民用和军事领域的应用十分广阔.......
[会议论文] 作者：黄清芳,孙聂枫,李晓岚,李帅,杨建业,邵会民,史艳磊,王阳,刘惠生,孙同年,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2012
本文利用自制高压单晶炉,采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了4英寸掺S低阻N型和掺Fe半绝缘InP单晶的生长技术.主要讨论了晶体生长过程中引晶、放肩、等径控制等因素对单晶生...
[会议论文] 作者：陈秉克,孙聂枫,杨光耀,谢德良,刘二海,周晓龙,孙同年,普朝光,王良,孙毅之,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
采用了一种新的质谱方法--辉光放电质谱(GDMS)测试对LEC-InP体材料进行了杂质含量的测试分析.比较了国际主要InP体材料供应商用同样方法测试的数据,以及原材料的质谱数据.说明了材料中主要杂质的可能来源.因为GDMS测试可以非常清楚的了解材料所含杂质情况,并可......
[会议论文] 作者：孙聂枫,杨光耀,陈秉克,徐永强,曹立新,赵彦军,安国雨,齐志华,谢德良,刘二海,周晓龙,杨克武,赵正平,孙同年,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所以各主要发达国家普遍加强了对大......
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