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[会议论文] 作者：王红梅,曾一平,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：吴文,曾一平,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
研究人员用分子束外延方法在GaAs（001）衬底上生长了以InGaAs为沟道的HEMT材料。对应于P-HEMT（Pseudomorphic HEMT），这种HEMT被称为Metamorphic HEMU简称MM-HEMT。为了克服衬底和器...
[会议论文] 作者：周宏伟,曾一平,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
研究人员利用在GaAs衬底上MBE生长的高迁移率的InAs薄膜，成功地制备了InAs Hall器件。在内阻相同的情况下，InAs Hall器件的灵敏度是GaAs Hall器件的1.5倍，内阻温度特性也比GaAs...
[会议论文] 作者：潘栋,曾一平,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
首次报道了低组分（Ｉｎ￣０．３）的２０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格的生长，用透射电镜（ＴＥＭ）直接观察到清晰的无位错的量子点超晶格的结构，量子点的平均尺寸大小：直径３０ｎｍ和高度６－７ｎｍ。......
[会议论文] 作者：黄锡畴,曾一平,
来源：中国纺织工程学会第五届陈维稷优秀论文报告会 年份：1998
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[会议论文] 作者：王宝强;曹昕;曾一平;,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
该文给出一种用MBE方法制备实用的p-HEMT材料方法，其2DEG浓度随材料结构不同在2.0-4.0×10cm之间，室温霍耳迁移率在5000-650cmvS之间。厚度不均匀...
[会议论文] 作者：黄万霞[1]曾一平[2],
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
用固定能量为20kev，注量为10～10/cm的质子和固定注量为1×10／cm，能量为30～100keV的质子，对GaAs／AlGaAs多量子阱材料进行辐照，得到了材料的荧光特性随质子能量和注量的变化关系，并进行......
[会议论文] 作者：孔梅影,曾一平,李晋闽,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,可用于研制8-12μm大气窗口的红外探测器.实验上观测到随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增......
[会议论文] 作者：张绵,王云生,吴巨,曾一平,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
利用分子束低温生长GaAs材料的极低载流子寿命的特点，经优化用制备了超高速模拟开关集成电路，结合其它的技术措施，该开关在9.15×10rad(Si)/s的γ剂量率辐照下，其 功能正常，但也有......
[会议论文] 作者：潘量,庄乾东,曾一平,王红梅,
来源：第三届全国机械工程材料青年学术年会 年份：1998
量子点的生长目前一直是一个热门研究问题。该文通过对ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格多层量子点材料的透射电镜（ＴＥＭ）照片的研究，对应变超晶格中量子点的成点机制作了一些讨论，认为量子点的形成是应力不断积累而最终弛豫的结果。......
[会议论文] 作者：李灵肖,金才政,曾一平,潘昆,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
分子束外延是制备超晶格等微结构材料的重要手段之一。由于分子束外延不角液相外延或化学气相外延那样，在生长羊可进行原位回熔或腐蚀。因此衬底表面质量的好坏对分子束外延层......
[会议论文] 作者：段瑞飞,曾一平,王宝强,朱占平,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
本文使用固源分子束外延(SS-MBE),生长了一系列的变生长温度的In0.37Ga0063As/GaAs(001)量子点.通过对生长样品的原子力显微镜(AFM)测量,发现量子点的形貌强烈依赖于其生长温...
[会议论文] 作者：张晓昕,曾一平,王保强,朱占平,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
由于共振隧穿二极管(RTD)在超高频方面的优异性能,近年来得到了广泛的重视.本文通过对InGaAs/A1As材料的不同尺寸共振隧穿二极管(RTD)的研究,发现对于不同峰谷比和峰值电流密...
[会议论文] 作者：段瑞飞;曾一平;王宝强;朱占平;,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的InGaAs/GaAs外延.结果...
[会议论文] 作者：张晓昕,曾一平,王保强,朱占平,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,...
[会议论文] 作者：杨茹,李国辉,朱红青,曾一平,张方方,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
为了研制光纤通讯用光电三极管，需要在ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中形成Ｐ型基区。选用８０ＫｅＶ４．５×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉１６０ｋｅＶ４×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉离子注入ｎ型ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中进行补偿而得到Ｐ型区，Ｃ－Ｖ测试栽流子剖面分布有比较理想的结果，实现了在２７０－６１０ｎｍ深度上的Ｐ型层。为了制作光电晶体管，要腐蚀至Ｐ区，制作基极欧姆接触，在腐蚀速度......
[会议论文] 作者：于磊,潘量,曾一平,李晋闽,孔梅影,
来源：第三届全国机械工程材料青年学术年会 年份：1998
该文报道了用分子束外延（ＭＢＥ）、自组织法生长低组分、低应变量子点超晶格Ｉｎ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ／ＧａＡｓ材料（样品组分为０．２８），量子点的平均尺度为高约１０ｎｍ、直径约３０ｎｍ，低温下（１５Ｋ）荧光谱（ＰＬ）测其发光峰位在１．２５９ｅＶ、半高宽为６３ｍｅＶ，红外吸收测......
[会议论文] 作者：曹昕,曾一平,孔梅影,潘量,陈堂胜,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
...
[会议论文] 作者：周宏伟,曾一平,潘量,王宝强,孔梅影,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
...
[会议论文] 作者：于磊,潘量,曾一平,李晋闽,孔梅影,
来源：第三届全国机械工程材料青年学术年会 年份：1998
该文报道了用分子束外延（ＭＢＥ）、自组织法生长低组分、低应变量子点超晶格Ｉｎ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ／ＧａＡｓ材料（样品组分为０．２８），量子点的平均尺度为高约１０ｎｍ、直径约３０ｎｍ，低温下（１５Ｋ）荧光谱（ＰＬ）测其发光峰位在１．２５９ｅＶ、半高宽为６３ｍｅＶ，红外吸收测量表明：正入射下在１４～１５μｍ有着强烈吸收。......
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