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[会议论文] 作者：潘晓枫;沈亚;蒋幼泉;,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
采用集总元件的高通/低通网络构成移相网络和GaAs MESFET作为开关控制器件,利用南京电子器件研究所标准的0.5um PHEMT MMIC制造工艺,研制出X波段单片六位数字移相器.该移相器...
[会议论文] 作者：钱峰,蒋幼泉,叶育红,徐波,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择....
[会议论文] 作者：陈新宇,许正荣,蒋幼泉,李拂晓,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
采用GaAs平面PIN二极管,完成DC～26.5GHz的单刀单掷开关的设计、制作.宽带单刀单掷开关单片带内差损小于0.5dB,26.5GHz处隔离度22dB.开关单片采用离子注入技术的GaAs平面工艺加...
[会议论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,李哲洋,蒋幼泉,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，...
[会议论文] 作者：吴振海,郝西萍,蒋幼泉,陈新宇,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试，对参数进行统计分析，能判断成品率是否正常，并帮助找出影响成品率的原因。该文介绍了行之有效的测试统计和分析技......
[会议论文] 作者：钮利荣,徐筱乐,蒋幼泉,杨端良,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理...
[会议论文] 作者：冯忠,王雯,陈刚,李哲洋,柏松,蒋幼泉,
来源：全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2008
本文详细描述了4H-SiC功率MESFET台面光刻技术,利用光刻胶阻挡离子束台面刻蚀,其工艺简单,重复性好,获得良好的4H-SiC刻蚀表面,有利于器件的性能提高.SiC的台面刻蚀需要较长...
[会议论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管....
[会议论文] 作者：蒋东铭,陈新宇,蒋幼泉,黄子乾,冯欧,
来源：2009年全国微波毫米波会议 年份：2009
采用3英寸圆片GaAsPIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAsPIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点，工作频段25～40GHz，输入端在关断态下采用非...
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;高建峰;黄念宁;徐中仓;,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于...
[会议论文] 作者：陈新宇,许正荣,蒋幼泉,黄子乾,李拂晓,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文采用GaAs PIN二极管,完成1～40 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.砷化镓PIN二极管SPST开关单片具有低插损,高隔离,高功率的特点,在1～10 GHz带内插损0.3 dB,驻波优于1.1,隔离度大于24 dB,在10～40 GHz,带内插损小于0.8 dB,驻波优于1.2,隔离度大于30 dB.PIN二极......
[会议论文] 作者：陈新宇;许正荣;蒋幼泉;张斌;李拂晓;邵凯;,
来源：2003中国国际集成电路研讨会 年份：2003
本文采用GaAs集成电路的设计和工艺技术，研制开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关集成电路，电路拓扑采用串并结构，在0.9GHz，插入损耗小于0.9dB，隔离度典型值为50dB，产品性能指标......
[会议论文] 作者：许正荣,陈新宇,蒋幼泉,张斌,李拂晓,邵凯,
来源：2003全国微波毫米波会议 年份：2003
基于成熟的GaAs集成电路的设计和工艺技术,采用准确的控制电路模型,开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关芯片电路,电路拓扑采用串并型结构,在0.9GHz,插入损耗小于0.9dB,隔离度典型值为50dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs开关电路采用3英寸GaAs圆片标准......
[会议论文] 作者：陈刚;柏松;张涛;汪浩;李哲洋;陈雪兰;蒋幼泉;,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配...
[会议论文] 作者：蒋幼泉,李拂晓,黄念宁,陈继义,邵凯,杨乃彬,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
报道了一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.该产品在820～950MHz下,插入损耗(I)≤0.4dB,回波损耗(R)≥19.5dB,反向三阶交调(P)≥67dBm,隔离度(Iso>)≥15.5dB,控...
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;徐中仓;钮利荣;邵凯;杨乃彬;,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验.寿命试...
[会议论文] 作者：钮利荣,李拂晓,蒋幼泉,林金庭,刘庭华,章文勋,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
该文给出了用MEMS技术设计和研制的Ku波段准单片压控振荡器和全单片的MEMS振荡辐射天线。其中准单片振荡器输出功率达10mW，全单片MEMS辐射天线的振荡器与微型天线制作在一个Ga...
[会议论文] 作者：陈新宇,陈继义,陈效建,郝西萍,蒋幼泉,李拂晓,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
本文提出了一种MESFET开关的模型-附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,其具有很好的宽带微波特性.器件测试值与模型模拟值吻合较好....
[会议论文] 作者：蒋幼泉,李拂晓,钮利荣,黄念宁,陈效建,杨乃彬,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
总结了在φ76mm砷化镓圆片上实现PHEMT亚微米工艺技术的研究.提出低应力介质膜、控制低损伤层提高PHEMT器件性能;运用统计过程控制技术(SPC技术)提高MMC芯片成品率.研制出的6...
[会议论文] 作者：陈新宇,陈辰,陈继义,李拂晓,蒋幼泉,邵凯,杨乃彬,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs集成压控衰减器电路,衰减器电路采用T型结构,在0.9GHz,插入损耗小于2.8dB,最大衰减量35dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs压控衰减器采用3英寸GaAs圆片标准工艺加工,具有批量生产能力.......
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