化学腐蚀工艺相关论文
采用化学铣切工艺解决复杂模具型腔的加工是对常规工艺方法的改革。文章总结了T10、W18Cr4V、Cr12MoV几种模具材料进行化学铣切试......
四川读者张宏来信说:我厂静压轴承油室的加工精度、位置尺寸,各油室间面积与容积一致性要求较高,采用机械加工的方法很难达到要求......
研究了以铟锡氧化物（ITO）薄膜作为电流扩展层及出光窗口层的红光LED的漏电增加和抗静电能力下降的问题。结果发现，器件漏电和抗静电能......
在３０％酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压（Ｅ－ｔ）曲线，根据曲线转折电压Ｅ转判断表面氧化膜相对厚度，发现膜厚与电容量有很好对应......
采用微细的电子束通过化学腐蚀工艺而不是剥离工艺制得了亚微米线宽的铬掩模。在计算机控制的扫描电镜(SEM)中进行电子束曝光。用......
发展了一种直接在镀铜热沉上制造小面积硅雪崩二极管的新方法。为制造薄而均匀的硅膜,其过程结合了多层汽相外延生长硅与选择电化......
最近,绝缘衬底上的硅膜相当受人重视,因为减少了在薄膜中制作的相邻器件间交流和直流的相互影响。最感兴趣的是集中在蓝宝石和尖......
为了蚀刻掺杂的硅酸盐玻璃层,已经发现气体等离子体腐蚀是有效的。与通常的湿法化学工艺相比,气体等离子体工艺腐蚀特性与淀积温度......
本文介绍国产JJ-A型激光微调机的技术规格以及国内在集成电路、厚、薄膜电路、力敏传感器、电子元件中之应用实例。
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用Ｉｎ_（０．５）Ａｌ_（０．５）Ｐ作发射区的新型ＧａＡｓＨＢＴ近年来，异质结双极晶体管（ＨＢＴ）在高速电路中的应用已引起广泛重视。据《ＩＥＥＥＥＤＬ》第１５卷１期报道．Ｊ．Ｍ．Ｋｕｏ等用气源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术首次生长......
一、前言 对于杯式扩散硅压力传感器来讲,硅杯是决定其性能优劣的关键部件。我们知道,工作压力P与硅杯的几何尺寸应满足下式要求:......
本文介绍一种由力敏电阻全桥和温度补偿的放大器电路构成的集成压力传感器。通过理论分析得到了(100)矩形硅膜的尺寸以及力敏电阻......
英雄1997型和1000型香港回归纪念金笔是英雄股份有限公司为迎接香港回归而特意设计的.日前该公司董事长赵松生将一支笔套镶嵌“199......
本发明提供一种可扩大光谱范围的红外探测器．该探测器有两个衬底，第一个衬底由磷化铟制成，它上面有一层砷镓铟膜层．第二个衬底由硅制成......
