开态电流相关论文
忆阻器在高密度存储、存内计算、神经形态计算领域具有极大的应用潜力,但其有限的开关比限制了阵列集成度的提高。为了不牺牲忆阻......
随着集成电路工艺技术的迅速发展,MOSFET的特征尺寸减小至纳米级,器件功耗逐渐成为制约集成电路发展的主要因素之一。隧穿场效应晶......
多年来,随着集成电路的快速发展,晶体管的工艺尺寸从微米级缩小到纳米级。工艺尺寸的缩小使得集成电路的集成度提高,性能提升。不......
隧穿场效应管(TFET)是后摩尔时代的低功耗(LP)器件的候选者之一,因为它可以突破亚阈值摆幅(SS)(60 m V/dec)的极限,从而在更低的供应电压下......
当前,如何显著减小纳米集成电路功耗已成为国内外研究和关注的焦点问题,众多新型低功耗半导体器件脱颖而出,而隧穿场效应晶体管(TF......
随着集成电路的发展,当今超大规模集成电路工艺中的核心器件仍为基于漂移扩散物理机理的场效应晶体管。然而,随着器件特征尺寸不断......
隧穿场效应晶体管(TFET)基于带带隧穿原理工作,其亚阈值摆幅能够突破MOSFET亚阈值摆幅的理论极限60mV/dec,具有较大的研究价值和应......
遵循摩尔定律,传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)集成电路芯片特征尺寸不断缩小,器件集成度逐步加大,然而随着芯片性能的......
针对传统AlGaN/GaN HFET击穿电压远低于理论值,以及阈值电压与开态电流之间存在制约关系的问题,提出一种对称极化掺杂增强型高压Ga......
对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启......
期刊
在摩尔定律的指导下,微处理器的集成度不断提高,推动了逻辑开关器件的发展。而在逻辑开关器件中,隧穿场效应晶体管(TFET)突破了金......
为解决现有隧穿场效应管(TFET)开态电流相对较低的问题,设计一种以石墨烯异质结为导电沟道的新型TFET器件。根据石墨烯条带导电性......
隧道场效应晶体管(TFET)由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂......
基于隧穿场效应管(TFET)P-I-N结构,考虑在源区与沟道之间施加一段与源区掺杂性质相反的高掺杂区(PNIN-TFET),加大源区到沟道的转变,提......
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近些年,随着集成电路的发展,传统MOSFET的尺寸和性能逐渐趋近极限,研究新的替代器件十分必要。一种依据带-带隧穿原理工作的隧穿场......
随着MOSFET尺寸的不断减小,芯片的集成度不断提高、开关速度不断加快。同时,MOSFET尺寸不断减小要求电源电压及阈值电压不断降低,......
随着超大规模集成电路工艺飞速发展到5nm节点以下,GAA(Gate-AllAround)器件有望代替Fin FET器件成为5nm节点及以下的主流器件。摩......
MOS晶体管是当今世界的主流,它具有很好的电学特性,但是其物理尺寸已接近极限而且功耗大等问题日益突出。为了适应未来集成电路发......
学位
随着半导体制造的进一步精细化,晶体管的等比例微缩越来越接近原子尺度,电子的输运将会受到量子不确定性的影响,因此量子效应和材......
a Si TFT 是有源矩液晶显示器件的关键元件,为了得到最佳的特性,除了改进用于制造a Si TFT的材料外,a Si TFT的几何结构达到最佳化是......
随着器件尺寸不断缩小,半导体器件面临诸多问题,如短沟道效应严重、泄露电流大、高功耗等,针对这些问题,领域内提出了各种解决方案......