首先建立了线性变掺杂高阻漂移区LDMOS的导通电阻的模型,通过分析、计算,得出它的导通电阻的解析表达式,然后用MATLAB软件和MEDICI......

700 V高压LDMOS（Lateral Double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor）因其兼容CMOS与BCD工艺,所以在AC-DC......

SOI(Silicone On Insulator)即绝缘体上的硅具有漏电小、速度快、功耗低的优点,是集成电路的重要发展方向。但是,SOI高压器件在高......

SOI器件因其良好的隔离性能，高速，低功耗，高可靠和无闩锁效应，已成为功率集成电路发展的重要方向。当把高压和低压器件集成在同一块芯......

随着半导体结构和工艺等方面的研究和集成电路(IC)设计与优化技术的进一步前进,高压功率器件越来越成为不可或缺的元器件基础。可......

SOI(Silicom On Insulator)高压集成电路(High Voltage Intergrated Circuit,HVIC)因其隔离性能好、速度快、低功耗、抗辐照和便于......