文章基于1．5υm厚顶层硅SOI材料，设计了用于200V电平位移电路的高压LDMOS，包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLD......

为了解决薄层SOI(silicon-on-insulator)场LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)击穿电压偏低,容易发生背栅穿通......

SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)高压LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semicondutor,横向双扩散金属氧化物半导......

SOI(Silicon on insulator)技术相比体硅材料具有高速、高集成度、低泄漏电流和隔离性好等优点而越来越广泛的用于功率集成电路中......

SOI器件因其良好的隔离性能，高速，低功耗，高可靠和无闩锁效应，已成为功率集成电路发展的重要方向。当把高压和低压器件集成在同一块芯......

SOI(Silicom On Insulator)高压集成电路(High Voltage Intergrated Circuit,HVIC)因其隔离性能好、速度快、低功耗、抗辐照和便于......