重掺锑相关论文
直拉硅单晶在生长过程中会形成原生氧沉淀，它们对硅单晶在后续热处理中的氧沉淀行为有重要影响。重掺锑直拉硅单晶的原生氧沉淀的形......
通过拉晶实验，研究了炉室气压、拉晶速率和成晶时间等晶体生长工艺条件对直拉重掺锑单晶电阻率的影响。实验结果表明，炉室气压、拉晶......
Sb-dope衬底简介N+Sb-doped衬底特点:生长外延时,Sb几乎没有自掺杂效应;CMOS工艺热处理(即使高达1200℃)过程中,Sb的外扩散最小;N+......
会议
本文采用红外扫描显微术研究了在不同退火条件对重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的影响。实验发现重掺锑直拉硅片中的氧沉淀长大到......
本文研究重掺硅中氧的测定,实验首先选用轻掺(ρ＞10Ω·CM)样品分别用氧体熔化分析法(GFA法,LECO RO-416测氧仪)和付立叶变换红外法......
该文利用化学腐蚀光学显微镜观察、Ｘ射线双晶衍射和透射电子显微镜（ＴＥＭ）对重掺锑、重掺硼硅单晶在热处理过程中的氧沉淀行为进行了研究，讨......
该文报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火......
该文研究了重掺锑硅单昌生长过程中锑的发凝行为，指出在同样的工艺参数下，热场不同，锑的有效分凝系数有很大的差异。同时对收集的挥发......
通过在不同条件下退火，研究氮杂质对重掺锑硅(HSb-Si)中氧沉淀的影响．实验结果表明，在高温单步退火(1000～1150℃)和低高两步退火(650℃......
