GaAS单晶相关论文
本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平......
对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析和实验研究,结果表明,低温分子束外延生长的GaAs单晶中含有密度大约为10~(20)cm~(-......
GAS-438搭载桶是搭载美国航天飞机的空间晶体生长实验设备,它用较为先进的"功率移动"区熔法生长GaAs单晶.该论文介绍了其控制系统......
学位
利用低能双离子束外延技术 ,在 4 0 0℃条件下生长样品 (Ga,Mn,As) / Ga As.样品光致发光谱出现三个峰 ,即1.5 0 4 2 e V处的 Ga A......
利用高分辨电子显微镜观察了（１００）ＧａＡｓ单晶 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发的形变行为结果表明，这种材料在 Ｖｉｃｋｅｒｓ硬度计载荷的作用下产生许多李晶和堆垛层错，导致发生晶格......
利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明，压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的......
<正>转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要......
采用有限元法对LEC法生长的3英寸GaAs单晶中的热应力进行求解.假设晶体为轴对称的各向同性线弹性体.主要讨论了不同液封厚度、轴向......
我们首次用在中国返地卫星上生长的Si-GaAs单晶做衬底,成功地研制出室温CW工作的GaAs/AlGaAs质子轰击条形DH激光器,DH外延片是用LP......
本文提出了改进的低压LEC/PBN法获得稳定的熔体化学计量比的条件,研究了晶体的电学性质、位错密度、C含量及EL2浓度等特性,并考察......
利用低载荷Vickers压痕的方法在GaAs单晶中诱发微裂纹,通过透射电子显微镜和高分辨电子显微镜对裂纹尖端进行了观察结果表明,裂纹......
由全国政协副主席宋健、科技部部长朱丽兰、全国人大科教文卫委副主任李绪鄂担任顾问,中科院院士、科技部副部长徐冠华任主编的《......
坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩......
