栅极孔刻蚀是要刻断栅极和源极（或阴极）之间在外延过程中形成的连体，打开栅电极区。刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能......

半导体红光激光器以其体积小、价格便宜等越来越成为人们关注的焦点。通过测定InGaP／InGaAIP量子阱激光器的I—V关系和不同电压下的......

采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta2O5)薄膜．利用Ta／Ta2O5／Ta的MIM电容结构分析了Ta2O5的电学性能，研究了上......

采用LPCVD和PECVD方法制作单层金属铝的多品硅纳米膜欧姆接触，并用X射线对其表征，说明铝膜具有多晶结构。在温度为450℃的条件下，分别......

利用直流反应磁控溅射方法在金属Al过渡层上沉积了Si基ZnO晶体薄膜，并利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试仪对ZnO薄膜的......

采用密度泛函理论（DFT）的B3LYP基组对Td对称的C76富勒烯分子及其外接Au电极情况下的电子传输系统的能级、电子结构、电子传输特性等......

超导热电子测热辐射仪（Superconducting Hot—electron Bolometer，HEB）是一种检测器件，可以对1THz以上的电磁辐射进行高灵敏度的检测。......

I-V特性是表征光伏器件性能的重要指标．在用电压扫描方式对一些器件进行I-V测试时，会出现零偏压电流为正向电流的现象．本文通过分析结......

笔者认为郭江等关于'CdTe/CdS异质结特性'一文,对CdTe/CdS太阳电池的CdS/CdTe异质结特性的讨论时存在理论上的错误和设计......