Flash存储器具有存储密度高、结构简单和高速电可擦除性等优点,是当今极具发展前景的非挥发性存储器件。二十年来,闪存的研究不断......

　　分析了非均匀沟道MNOS结构器件总剂量辐射效应，建立了MNOS的总剂量辐射阈值电压变化公式。辐射情况下，分析不同的二氧化硅厚度对......

应用高纯氮携带液氧蒸气作为氧源的热氧化技术和 Si H4- NH3体系 L PCVD技术 ,制作对辐照吸收有明显响应的 MNOS器件 ,在 10 3～ 10 ......

本文介绍了非挥发性存储器的基本结构和工作原理，介绍了工艺过程中的控制要点和工艺优化的方法，给出了MNOS器件制作的工艺流程以及测......

应用高纯氮携带液氧蒸气作为氧源的热氧化技术和ＳｉＨ４－ＮＨ３体系ＬＰＣＶＤ技术，制作对辐照吸收有明显响应的ＭＮＯＳ器件，在１０＾３～１０＾５Ｇｙｓ剂量范围内其平带电压江西省多值随辐照......

本文介绍了多晶硅栅ＭＮＯＳ结构抗辐射的性能；验证了它能有效地抑制ＭＯＳ器件阈电压的漂移，是一种优越的抗辐射加固材料。......

通过浅在储陷阱的电荷泄漏模型,对MNOS结构的保留特性进行研究。根据模型推导出的理论公式满意地描述了包括温度效应和栅压效应在......

本文报导了MNOS结构经γ射线、电子和中子辐照在SiO_2-Si界面产生感生电荷的研究结果。实验表明,目前的MNOS结构在较低剂量时辐照......

本文应用热激电流（TSC）方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储......

提出利用深能级瞬态谱技术ＭＮＯＳ结构中界面陷阱的分布，阐述了并建立了ＭＮＯＳ结构ＤＬＴＳ存储峰和界面态峰的解析理论，并给出区分这两个谱峰的实验方法，并......

用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O₂/N₂值在10^-2至10^-3可生长性能和重复性均......