为了消除辐射损伤，获得准确的目标电阻率，中子嬗变掺杂区熔硅通常采用７５０￣８５０℃－２ｈ的退火工艺，实践中发现，采用上述工艺退火后的ＮＴＤＦＺＳｉ在大于１１５０℃－５ｈ退火时，会......