本文介绍用正电子湮没寿命测量技术研究中子辐照直拉硅的退火效应。结果表明,在所选定的退火时间条件下,充分退火的温度应高于650......

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利用中子嬗硅材料和离子注入，氮化硅钝化工艺制成了中子嬗变硅全桥应变计。介绍了其工作原理，参数设计及实验结果。......

为了消除辐射损伤，获得准确的目标电阻率，中子嬗变掺杂区熔硅通常采用７５０￣８５０℃－２ｈ的退火工艺，实践中发现，采用上述工艺退火后的ＮＴＤＦＺＳｉ在大于１１５０℃－５ｈ退火时，会......

由于中子辐照诱生的施主(简称中照施主)的产生,使得中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZ Si)的退火行为比较复杂。采用中子嬗变掺杂区熔硅(NT......

对采用中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）技术生产硅单晶作了研究，给出了几种不同气氛下成晶的ＮＴＤ硅单晶对器件性能影响的试验结果及数据分析。......

中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺......