P型GaN相关论文
近几年,Ⅲ-Ⅴ族半导体GaN由于其宽直接带隙,在高温、高功率器件方面得到了广泛研究。但是,目前GaN器件的性能依然受到了p型欧姆接......
研究了MOCVD生长的GaN及掺MgGaN薄膜从78到578K下的喇曼散射谱.在GaN和掺MgGaN的谱中都观察到一个位于247cm-1的峰,此峰被认为是缺......
用MOCVD技术生长GaN:Mg外延膜,在550～950℃温度范围内,对样品进行热退火,并进行室温Hall、光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,85......
通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到......
宽禁带GaN基半导体材料由于其优越的物理和化学特性，在制备高温、高频大功率微电子器件方面具有巨大潜力和广阔应用前景，GaN基微电子......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了MOCVD生长的GaN及掺Mg GaN薄膜从78到578K下的喇曼散射谱.在GaN和掺Mg GaN的谱中都观察到一个位于247cm-1的峰,此峰被认为是......
通过优化Mg流晕增强了MoCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明卒穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到......
采用MOCVD技术及渐变δ-Mg掺杂方法生长了p型GaN薄膜，对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现，经过950℃下的第......
用MOCVD技术生长GaN：Mg外延膜，在550～950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试．Hall测试结果表明，850℃退火......
通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到......
利用低压金属有机物化学气相沉积技术，采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法，分别在氮化镓（GaN）和高温氮化铝（HT-A1N）模板上，生长了P型GaN外延......
研究了MOCVD生长的GaN及掺MgGaN薄膜从78到578K下的喇曼散射谱．在GaN和掺MgGaN的谱中都观察到一个位于247cm^-1的峰，此峰被认为是缺......
利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型......
InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后......
近年来，随着UVLED技术的进一步发展，其以广泛的应用优势涉及到了生活的各个领域，特别是在半导体照明领域，对于提高紫外LED的光效和亮度......
利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合......
Ga N基材料因其优异的性能在固态照明方面具有广泛的应用前景。与Ga N常用的异质外延衬底蓝宝石和Si C相比,Si衬底具有价格低、导......
GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料,室温下其禁带宽度大约为3.39eV,具有比较不错的物理和化学性质,是生产和制备高温高频微电子器......
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研......
