SIGEHBT相关论文
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响，对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明，在SiGe HBT器件......
The typical DC electrical parameters of SiGe HBT samples before and after 25MeV carbon ions irradiation are measured and......
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采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅ ＨＢＴ 结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射......
本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越......
首先论述了 Si Ge技术的优势、发展历史和应用领域 ,并介绍了 Si Ge工艺和器件的进展 ,最后详细描述了 Si Ge IC的进展
Firstly, ......
据日本《电子材料》2003年第8期报道,德国Infineon Technologies开发了工作频率达110GHz的SiGe HBT分频器。该分频器的分频比为2,......
在 12 5 m m标准 CMOS工艺线上 ,对标准 CMOS工艺经过一些必要的改动后 ,研制出了多叉指功率 Si GeHBT.该器件的 BVCBO为 2 3V .在......
成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统......
从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射......
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流......
研究了npn型SiGe HBT集电结附近的异质结位置对器件性能的影响.采用Taurus-Medici 2D器件模拟软件,在渐变集电结SiGe HBT的杂质分......
研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管的设计优化.给出了器件基本直流交流特性曲线,分析了与常规SiGeHBT的不同.由于SOI衬底的引入......
基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通......
测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及器件电流注入水平的变化。实验结果显示在累计辐照剂量超过5 000 Gy(Si)后,器......
应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对......
基于异质结双极晶体管(HBT)优良的微波特性,精确建模对使用该类器件进行电路设计具有重要的意义。介绍了HBT所具有的独特优越性,采......
随着无线通讯技术的快速发展，对成本低，功耗低，集成度高的高性能器件和集成电路的需求大大增加，其中射频前端的集成是最为困难的。鉴于......
发射极－基极结设计对Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的集电极饱和电流、理想系数、阿莱电压及器件开关速度的影响＝ＴｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅＯｆｅｍｉｔｔｅｒ－ｂａｓｅｊｕｎｃｔｉｏｎｄｅｓｉｇｎｃｏｃｏｌｌｅｃｔｏｒ，ｓａｔｕｒａｔｉｏｎｃｕｒｒｅｎｔ，ｉｄｅａｌｉ...
Emitter-base junction design of Si / SiGe......
以移动电话和无线局域网(WLAN)为首的无线应用产品,正在急速向高频宽带发展.尤其是在WLAN数字无绳电话等领域,以往一直是2GHz带宽,......
第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增......
The change of electrical performances of 1 MeV electron irradiated silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar trans......
以通讯领域的需求和技术发展为背景，介绍了SiGeHBT器件以及SiGeBiCMOS技术的发展历程。总结了SiGeHBT器件在器件结构和工艺步骤上的......
对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管（HBT）直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不......
噪声对RF电路设计非常关键，故需要对SiGeHBT噪声特性进行深入研究。根据器件的高频噪声模型，指出了影响SiGeHBT高频噪声参数的主要因......
结合超宽带（UWB）无线通信标准，给出了超宽带低噪声放大器（LNA）的设计思路。依据这个思想，并以高性能硅锗异质结双极型晶体管为核心，设计了......
对硅锗异质结双极型晶体管（SiGe HBT）等效高频噪声模型进行了研究,在建模过程中,SiGe HBT的等效电路为小信号准静态等效电路,使用二......
近年来，随着无线用户增多以及数据传输量的增大，现代通信系统需要采用频谱利用率更高的传输技术，才能够在有限的频谱范围内为更多的用......
众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响......
锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）作为微波毫米波领域中非常重要的高速固态器件，由于具有功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好、单......
经过二十年的发展，SiGeHBT技术已经广泛应用于微波／射频通讯领域。它的快速发展首先得益于外延技术的提高，其次是它与硅工艺完全兼容，......
