研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指......

分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外......

分析了Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ三元系材料外延生长的特点，指出原子性质上的巨大差异使Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ材料的制备比较困难，固相外延生长是制备Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ的有效方法，但必须对制备过程各......