SiCL_4相关论文
通过试验发现SiCl_4对TiCl_4-Mg(OC_2H_5)_2乙烯聚合催化剂有较强的活化作用,可将催化剂活性从130kgPE/gTi提高到1300kgPE/gTi。本......
在520—750℃范围,用SiCl_4蒸汽处理HZSM-5沸石,其晶体结构不受破坏,而硅铝比大大提高。低于620℃时,脱铝随温度升高而增加;高于62......
微波技术要求降低外延温度以获得陡的界面杂质分布。如果在非晶衬底上能够得到完整的晶体,对半导体技术来说,将是变革性的突破。......
本文用微型反应器、SEM、XPS、IR-TPD、吸附动力学等手段研究了HZSM-5沸石经 ALCL_3或 SiCL_4蒸气改性前后的乙苯、乙烯烷基化反应......
固体吸附法是提纯SiCl_4的一种极为有效的方法.它是根据化合物化学键的极性不同,通过化学吸附,实现SiCl_4同杂质分离的.采用这种方......
按本文所述的方法可以生产供硅外延使用的高纯SiCl_4,其化学纯度可达8个“9”以上;生产不掺杂n/n~+硅外延层(厚度为40～50微米)的电......
本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,......
关于硅材料制备过程中碳沾污的问题,近年来引起了人们极大的关注.我们在研究Sicl_4氢还原低压硅外延生长时发现,外延层的碳沾污要......
应用傅立叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）技术和自制１０ｃｍ光程的不锈钢液体池，建立了光纤原料四氯化硅中微量三氯氢硅的定量分析方法。该法具有安全，简便，灵......
采用石英毛细管柱与氩检测器相联结的气相色谱方法定量检测高纯的光纤原料四氯化硅中微量三氯氢硅等杂质。该方法简单、可靠，三氯氢......
