ZN扩散相关论文
为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备.采用闭管扩散方式,实......
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8 μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度......
利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串......
通过45 keV,1.0×1017cm-2的Cu离子注入SiO2基底合成了嵌入式的Cu纳米颗粒,采用不同剂量的50 keV Zn离子对Cu纳米颗粒进行后续辐照......
该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/AlO衬底上生长GaN的PL特性与在AlO衬底上生长GaN有......
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次......
通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In（0.53）Ga（0.47）As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下......
通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下......
对PIN型光电探测器的结构进行了细致的分析,在器件等效电路的基础上分别划分出各个层的等效电容(包括势垒电容和扩散电容),并根据......
InxGa1-xAs是应用于短波红外波段探测的优良材料,在空间遥感领域有着重要的应用价值。本论文针对高灵敏度探测的应用需求,围绕平面......
锌(Zn)是一种P型掺杂物质,其气相扩散过程可广泛应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(GaSb、GaAs、GaP、InAs等)的P型掺杂工艺,因此研究Zn在......
利用石英闭管法，对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散，分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响。采用光致发光（PL）谱和电化学......
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统（LP-MOCVD）生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作......
GaSb热光伏电池的应用前景非常广泛。其主要优点有:理论效率较高、噪音低、可靠性高、高体积功率比、高重量功率比等。本论文主要......
GaSb以其在光伏和热光伏电池上的广泛应用,越来越受到人们的关注.Zn扩散是制备GaSb(热)光伏电池的基本工艺之一.它比其它的制造方......
采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实......
基于光纤传输、量子通信等技术对低噪声、高信噪比探测器的需求,高探测率、高灵敏度、智能集成化的APD探测器越来越多地应用于当代......
GaSb禁带宽度低(0.72eV),对红外光响应度高,能够用于红外光电二极管等光伏器件,尤其是近年来热光伏(TPV)电池技术的发展,使得GaSb......
PN结是光伏电池的核心,GaSb热光伏电池中的PN结可通过“准密封式”Zn扩散法制备,本文主要从实验和理论两个方面研究了制备GaSb电池......
