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比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和......
采用光CVD法制备了良好的SiO2薄膜,为半导体器件及传感器表面修饰提供了一条新型可行的途径。......
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性....
近年,作为固体表面一项新的低温成膜工艺,光化学气相沉积已经取得了显著进展。本文从光化学原理角度出发,介绍了光化学气相沉积反应的......
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本文论述了紫外汞灯Hg敏化PVD SiO_2薄膜的原理及方法,讨论了PVD SiO_2薄膜的光学特性、结构特性、电学特性、附着力及应力,并分析......
文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。...